xjtualex 发表于 2008-3-28 10:45

关于双向可控硅驱动

这个电路好像用的很多，对于左边的管子，火线电压高于零线时，单片机驱动光耦前级使火线电压加到门级，而阴极电压与零线相同，门级电压高于阴极电压导通<br />但是对于右边的管子，火线电压低于零线时，好像光耦就起不了作用了，零线电压通过电阻加到门级，高于阴极火线电压，管子导通<br />也就是说此电路可以控制正半周的导通角，一到负半周，就自动导通了，是不是这样了，希望高手指点^_^https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20083/2008328104053338.jpg

dai_weis 发表于 2008-3-30 18:18

建议你先看一下MOC3041的内部框图然后再理解为好

aijun02 发表于 2008-3-31 16:57

可能

我们用了类似的电路&nbsp;只是可控硅用的是单相&nbsp;&nbsp;在MOC内为三级管&nbsp;&nbsp;零线电压高于火线电压时&nbsp;4端子电压高于6端子&nbsp;&nbsp;为了防止损坏可控硅&nbsp;&nbsp;通过阻容耦合加到火线&nbsp;可控硅不导通&nbsp;&nbsp;

gezhi 发表于 2008-4-9 16:22

关注双向可控硅控制，期待答案

shenshi 发表于 2008-4-11 14:36

回复

正半周和负半周导通的原理是一样的。
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