问答

本帖最后由qq444023542于2022-4-2420:20编辑问题已解决，解决方法往下看！HK32F030C8T6主频支持72M主频，但是用STM32CUBE生成外部晶振12M主频72M时，调试时发现，刚开始还能运行，越往后就开始出现错乱，然后跑飞了，已经检查电路和晶振没有问题，将主频降到64M正常工作，不知道是哪里问题，有遇到此类问题的你们是怎么解决的？voidSystemClock_Config(void){LL_FLASH_SetLatency(LL_FLASH_LATENCY_1);while(LL_FLASH_GetLatency()!=LL_FLASH_LATENCY_1){}LL_RCC_HSE_Enable();/*WaittillHSEisready*/while(LL_RCC_HSE_IsReady()!=1){}LL_RCC_PLL_ConfigDomain_SYS(LL_RCC_PLLSOURCE_HSE_DIV_1,LL_RCC_PLL_MUL_6);LL_RCC_PLL_Enable();/*WaittillPLLisready*/while(LL_RCC_PLL_IsReady()!=1){}LL_RCC_SetAHBPrescaler(LL_RCC_SYSCLK_DIV_1);LL_RCC_SetAPB1Prescaler(LL_RCC_APB1_DIV_1);LL_RCC_SetSysClkSource(LL_RCC_SYS_CLKSOURCE_PLL);/*WaittillSystemclockisready*/while(LL_RCC_GetSysClkSource()!=LL_RCC_SYS_CLKSOURCE_STATUS_PLL){}LL_Init1msTick(72000000);LL_SetSystemCoreClock(72000000);}已经解决了，官方答复是FLASH等待周期需要设置一下，延迟加1既然知道问题那就好办了，打开系统时钟配置，右键LL_FLASH_LATENCY_1跳转右键延时周期跳转延迟这里把红框改了，默认是0，我把它给成2就正常了我遇到的问题也分享给大家，避免大家走弯路！

芯片选用ac7811，有11个不同周期的can报文外发，在定时器里面调用外发，发现外发打开后，系统变的很慢，很卡，难道ac7811就是这样的性能吗？还是有别的不知道的问题呢？》

最近要使用定时器的正交编码器功能，手册也看过几遍，着手要试一下，却发现不知道该如何操作，请问有谁使用过华大的HC32L136系列的正交编码器功能呢，希望指点一下。另外手册中16.2.7中介绍正交编码器计数功能的时候说MSCR.SMS是用来选择编码器模式的，但是在后面的寄存器介绍中找到了MSCR这个寄存器，但是没有找到相关的位。

今天学习了pwm的原理后,尝试用SYSTICK模拟pwm的占空比变化来实现LED的呼吸效果,但没有成功.是因为不使用GPIO的pwm模式就无法输出模拟电压吗?代码如下:intmain(void){u32i;LED_Init();delay_init();while(1){for(i=0xFFFFF;i>0;i--){LED_Output_Low();delay_ms(1);LED_Output_High();delay_ms(9);}for(i=0xFFFFF;i>0;i--){LED_Output_Low();delay_ms(9);LED_Output_High();delay_ms(1);}}}在两个时间段内赋予不同的占空比,跟pwm的原理应该是一样的,但不知道为什么不能实现呼吸灯效果

at32f413rct7flash只进行重复的擦除扇区（FLASH_ErasePage）的操作，但不写数据，这样会影响flash的寿命吗。我用at32f413rct7来测试，重复擦除扇区一个扇区。大概重复操作了15万次。还是能正常擦写其他数据，但是发现，擦除一次的时间会从32ms慢慢变得60多ms。之后这个测试的扇区的擦除时间保持在60多ms了。在stm32f103rcflash上，我也用过相同的测试，擦除一次的时间一直保持在20ms左右。不知道这个擦除时间的问题是说明了flash的寿命是有影响的。

如题，请大家帮忙看一下，航顺的芯片能否完全替换掉ST的STM32F103RBT6？还是在有功能限制的情况下能够完全替换。