用ADC测电压怎么总是偏高一点点？
2025-5-4 21:52
- ST MCU
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- 101
参考电压（Vref）偏差
I2C多主机与多从机的工作原理
2025-5-4 22:45
- 芯圣MCU
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- 789
主机发送起始条件和从机地址（写操作）。
从机接收到地址后，会发送一个应答信号（ACK）表示已接收。
主机 ...
TTL电平和CMOS电平
2025-4-30 15:16
- 新唐MCU
- 30
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输出高电平典型值为2.4V - 5V，一般规定大于2.4V为高电平。
输出低电平典型值为0V - 0.4V，一般规定小于0.4 ...
深入理解volatile关键字
2025-4-21 15:46
- Megawin(笙泉)单片机
- 55
- 1952
volatile 只能保证单个读/写操作的原子性
volatile是一个类型修饰符，但它并不改变变量的基本类型。
单片机就那点资源，为啥还要用RTOS？
2025-4-21 18:31
- Megawin(笙泉)单片机
- 78
- 2459
在单片机应用中，有些任务是关键任务，需要优先处理。RTOS可以根据任务的优先级进行调度，确保高优先级的任 ...
每个任务可由不同人员开发，最后通过RTOS集成。
【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】STM32H7系列37——USB_HID_FS
2025-4-20 22:00
- ST MCU
- 202
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IN/OUT端点缓冲区通常为64字节，可根据需求调整。
函数内存和传值
2025-4-21 15:30
- Megawin(笙泉)单片机
- 61
- 2476
通过inline关键字将函数体插入调用处，避免栈帧分配。
技术洞察 | 在LLC转换器中使用氮化镓开关，益处多多
2025-4-24 19:40
- 英飞凌MCU论坛
- 30
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LLC转换器可以在更高的频率下工作
STM32 HAL库时钟系统详解
2025-4-20 21:40
- ST MCU
- 25
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在修改时钟配置时，避免与其他时钟设置冲突。
浮点数性能和一致性
2025-4-21 15:27
- Megawin(笙泉)单片机
- 61
- 1770
编译器可以对浮点数运算进行多种优化。
MOS管相关知识
2025-4-15 21:53
- 国民技术MCU
- 36
- 932
在设计电路时，根据负载情况和电源电压合理选择 MOS 管的耐压和电流参数。 ...
指针加减运算的bug避坑
2025-4-24 15:22
- 小华半导体
- 56
- 1902
避免对空指针进行加减运算，这会导致未定义行为。
单片机堆栈的详细分析
2025-4-18 15:25
- Megawin(笙泉)单片机
- 69
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硬堆栈：通常指的是从片内RAM的顶部向下生长的堆栈。在许多单片机系统中，硬堆栈是默认的堆栈类型。
软堆栈 ...
单片机程序跑飞的原因
2025-4-18 15:24
- Megawin(笙泉)单片机
- 81
- 2001
添加去耦电容（如 0.1μF 陶瓷电容）靠近单片机电源引脚。
使用稳压电源或 LDO 稳压芯片。 ...
内存分布和heap空间
2025-4-23 17:20
- 凌鸥LKS MCU
- 33
- 1074
单片机的RAM资源有限，堆空间的大小也受到限制。
如何查找和排除程序编译中的错误
2025-4-21 21:43
- 新定义&赛元MCU
- 41
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验证头文件和库文件是否正确包含和链接。
GD32F105RB 使用官方USB例程，运行至枚举状态机时进入死循环
2025-4-18 21:23
- GigaDevice GD32 MCU
- 34
- 6123
合理设置中断优先级，避免中断被其他高优先级中断抢占。
【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】GD32F4系列十八——SDRAM实验
2025-4-14 08:17
- GigaDevice GD32 MCU
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- 20580
GD32F4 系列通常使用 0xC0000000 作为 SDRAM 的基地址，需正确配置 EXMC（外部存储器控制器）寄存器，确保 ...
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