三、EBI 操作控制
MCLK 控制
当 EBI工作时,芯片内所有 EBI 信号通过EBI_MCLK 进行同步。当芯片以较低工作频率连接到外部设备,EBI_MCLK 可以通过
设定寄存器 MCLKDIV (EBI_CTLx[10:8])最多分频到 HCLK/32。因此,芯片可以适用于宽频率范围的EBI 设备。如果 EBI_MCLK
设置为 HCLK/1,则EBI 信号与 EBI_MCLK 的上升沿同步,否则与EBI_MCLK 的下降沿同步。
操作与访问时间控制
开始访问时,片选(EBI_nCS0 和 EBI_nCS1)置低并等待一个 EBI_MCLK 时间用于地址时间(tASU)以使地址稳定。地址稳定
后,EBI_ALE 置高并保持一段时间(tALE)用以地址锁存。地址锁存后,EBI_ALE 置低并等待一个 EBI_MCLK 的时间锁存保持时间
(tLHD)。和另一个插入到地址保持时间之后的 EBI_MCLK 的时间(tA2D)用于总线转换(地址 到数据)。然后当读时 EBI_nRD 置低
或写时 EBI_nWR置低。 在保持访问时间(tACC)后 EBI_nRD 或 EBI_nWR置高用于读或写。 之后, EBI 信号保持地址访问时间(tAHD)
和片选置高,地址由当前访问控制释放。
EBI 控制器提供灵活的时序控制以用于不同外部设备。EBI的时序控制,tASU, tLHD 和 tA2D 固定为 1个 EBI_MCLK 时间。
tAHD 可以在 1~8 个 EBI_MCLK 周期调节,通过寄存器设定 TAHD (EBI_TCTLx[10:8]),tACC 可以在 1~32 个 EBI_MCLK 周期
调节,通过寄存器设定 TACC (EBI_TCTLx[7:3]), tALE可以在 1~8 个 EBI_MCLK周期调节,过寄存器设定 TALE
(EBI_CTL0[18:16]。一些外设可以支持数据访问零保持时间,EBI 控制器可以略过 tAHD,通过寄存器设定 WAHDOFF
(EBI_TCTLx[23]) 和 RAHDOFF (EBI_TCTLx[22]) 提高访问速度。
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