[原理图] ISO5852芯片去饱和的外围问题

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 楼主 | 2017-12-25 14:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
【不懂就问】
之前问过,但是没有完全懂
如图,是一款IGBT模块驱动芯片
其中在去饱和保护设计时,有这么一段说明
“在开关感性负载时,会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化
这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰,会从器件中消耗大量电流
为了将这些电流限制,可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联
,再选用一个肖特基二极管MM3z12vb,效果更好,这种二极管正向电压很低
可以确保在低电平下,把DESAT输入钳位到GND”


【1】最后一句中的,低电平下,是指输入in低电平吗?那如何利用低正向导通钳位到地?
【2】把DESAT输入钳位到GND,是如何通过D2、R1、D3和D4的配合把DESAT引脚的尖峰给去掉?是和下图吸收电路原理一样吗?
【3】电阻的计算怎么来的?

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