高阻状态

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| 2019-10-18 17:34 | 显示全部楼层

为啥也不用MEGA16了?呵呵

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| 2019-10-18 17:37 | 显示全部楼层



是啊,82G516的I/O的状态时可以通过程序来设置成推挽,上拉,输入等状态,基本和M16的I/O差不多

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| 2019-10-18 17:41 | 显示全部楼层


MPC82G516 的I/O口,默认是标准的8051 I/O口模式,工作在准双向,复位后输出为1,弱上拉。

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| 2019-10-18 17:45 | 显示全部楼层
对,但是复位期间的状态应该是和普通51一样,是弱上拉,也就是高电平。

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| 2019-10-18 17:49 | 显示全部楼层
改用复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片,这样I/O口控制的外设就不会动作,电路外围也不需要加个什么非门,也不用改什么外围电路了。

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| 2019-10-18 17:51 | 显示全部楼层
我觉得MPC82G516的P0口设计时有点小问题。

上电复位时,
P0M0 端口P0 模式寄存器0,复位值=0000,0000B
P0M1 端口P0 模式寄存器1,复位值=0000,0000B

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 楼主 | 2019-10-18 17:56 | 显示全部楼层
不是很理解

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| 2019-10-18 17:59 | 显示全部楼层
即上电复位默认P0口为准双向端口,和传统的51单片机P0口上电复位默认P0口为开漏输出,不兼容!

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| 2019-10-18 18:03 | 显示全部楼层

对,
否则,MPC82G516的P0口可满足你设计的要求。

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| 2019-10-18 18:06 | 显示全部楼层

复位后的确是上拉~

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| 2019-10-18 18:10 | 显示全部楼层
这个复位后上拉,是比较烦人,51改了这么久,也不做点改进。

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| 2019-10-18 18:15 | 显示全部楼层
I/O是用来驱动8个三极管,看来非要加个IC不行了。

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| 2019-10-18 18:18 | 显示全部楼层


改成低电平驱动可以吗?

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| 2019-10-18 18:21 | 显示全部楼层
可改用复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片,这样I/O口控制的外设就不会动作,电路外围也不需要加个什么非门,也不用改什么外围电路了。

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| 2019-10-18 18:24 | 显示全部楼层
这类复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片,很常规很通用的,在中国的用量也挺广挺多的,网上去搜一下,就能找到。

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| 2019-10-18 18:27 | 显示全部楼层
可以用低推的方法来解决这个问题,而且灌电流要比驱动电流要大很多.

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| 2019-10-18 18:29 | 显示全部楼层
Megawin(笙泉)单片机比其他51单片机最占优势的地方在于仿EEPROM容量可以划分较大,对某些需要较大EEPROM存储数据的应用,可以省去外接EEPROM, 简化结构,降低成本。

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| 2019-10-18 18:35 | 显示全部楼层

M16复位期间I/O口是高阻状态 : 是否按住复位鍵不放.
否則應該會立即執行主程序的

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| 2019-10-18 18:37 | 显示全部楼层
GPIO型需要加下拉电阻来确保初始化状态。

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