[ARM入门] ARM 关于nandflash的简单读写

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 楼主| shexujia 发表于 2015-7-22 15:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
最近在s5pv210上面跑裸机,简单读写nandflash一页的内容,不做ECC。
很简单是吧。满足时序,往 NFDATA 寄存器操作既是了。
问题来了,在一直读错的情况下,我发现我 读写的方式是 通过 “字” 访问的,也就是一次4bytes。
看手册上,有这么个表格()

2) 8 位 NAND Flash 存储器接口
A 字访问
寄存器  大/ 小端  位[31:24]  位[2316]  位[15:8]  位[7:0]
NFDATA  小端  4 th  I/O[7:0]  3 rd  I/O[7:0]  2 nd  I/O[7:0]  1 st  I/O[7:0]
NFDATA  大端  1 st  I/O[7:0]  2 nd  I/O[7:0]  3 rd  I/O[7:0]  4 th  I/O[7:0]
B 半字访问
寄存器  大/ 小端  位[31:24]  位[2316]  位[15:8]  位[7:0]
NFDATA  小端  无效值  无效值  2 nd  I/O[7:0]  1 st  I/O[7:0]
NFDATA  大端  无效值  无效值  1 st  I/O[7:0]  2 nd  I/O[7:0]
C 字节访问
寄存器  大/ 小端  位[31:24]  位[2316]  位[15:8]  位[7:0]
NFDATA  大/小端  无效值  无效值  无效值  1 st  I/O[7:0]

包括2440 、6410 、210 在NFDATA寄存器上面都有这个设置的问题,
但是找不到设置的地方。
不知道各位有没撞到这个坑,有的话请提示一下。
估计很多人都测试的时候,写helloworld进去,读出来,比较一下没问题就过去了。如果是字存储,在nandflash里面都已经数据错位了。。。
 楼主| shexujia 发表于 2015-7-24 09:11 | 显示全部楼层
有没人指点下捏:$
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