MOS管导通电阻问题讨论

电子小二哥 · 发表于 2011-5-18 13:58

在论坛里面的一些帖子上面讲到，MOS管导通后如果工作在现行放大区的话就有可能烧坏管子，这是因为线性区的ID电流较大，同时RDS也较大，功耗较高所致。
但我看了一下MOS的应用手册，上面提到的导通后RDS都是m欧姆级别的，这个也算是电阻大嘛？这不是与上面的介绍想矛盾吗？
另外，MOS的功耗究竟应该怎么计算呢？

发表于 2011-5-18 14:30

如果漏源电阻真的达到毫欧姆数量级，就已经进入开关方式（或丁类）的导通状态了，已经不是线性放大状态了。

发表于 2011-5-18 16:26

应用手册中的RDS是指饱和后的电阻，不是线性区的。

发表于 2011-5-30 16:11

还是没搞清楚

发表于 2011-5-30 17:23

本帖最后由 sjnh 于 2011-5-30 17:26 编辑

MOS管手册上都有一个Vgs/Id的图，上面确定Vds=一个值，例如30V，根据曲线你可以算出不同的Vgs下不同的电阻
手册上的几毫欧的电阻都是在Vgs>10V以上测量的，
例如3315在Vgs=4v 是电阻是25欧，Vgs=10v 是电阻是0.082欧

发表于 2011-5-30 23:20

因为功耗 P=UI, 饱和：U=0 所以P=0 （理想) 截止：I=0，所以P=0.
线性：UI都比较大时，P会很大， mos管就会烧掉。

发表于 2011-12-24 21:33

非**，迷惑了我很久的问题终于明白了……

发表于 2011-12-24 21:38

再问一下，pwm频率是否影响MOS工作在可变电阻区还是恒流区，记得有一次，pwm频率给的很低，MOS发热严重，然后VGS,VDS都没变，只是提高了一下频率，MOS就工作正常了

发表于 2011-12-24 23:47

导通后就是饱和区，不是放大区。
放大区有近似横流特性，而饱和区基本上是很小的电阻的特性。
饱和后，功率=电流的平方×导通电阻
PWM频率与饱和与否无关，除非频率非常高，Vgs来不及让开关干脆。但另一方面，驱动有电容隔直的话，那有可能频率太低时驱动不利，后期退出饱和，可以造成频率低反而发热的情况。

发表于 2011-12-25 09:08

9# lymex

MOS我用的是3205，搭的H桥给电机驱动，PWM频率为100HZ时发热，而且电机不怎么转，但频率提高到1K,MOS就正常工作了，电机也正常了。“但另一方面，驱动有电容隔直的话，那有可能频率太低时驱动不利，后期退出饱和，可以造成频率低反而发热的情况。”-------这个还是不太明白……

发表于 2011-12-25 13:44

9# lymex

MOS我用的是3205，搭的H桥给电机驱动，PWM频率为100HZ时发热，而且电机不怎么转，但频率提高到1K,MOS就正常工作了，电机也正常了。“但另一方面，驱动有电容隔直的话，那有可能频率太低时驱动不利，后期 ...
aptx5788 发表于 2011-12-25 09:08

电机是个电感负载，频率低的话容抗低，电流大

发表于 2012-8-7 16:18

来学习，比较困惑

发表于 2012-8-8 15:36

同意11楼，但纠正一小问题，电感元件阻抗叫感抗，电容元件的叫容抗。

发表于 2012-8-9 12:34

9# lymex

MOS我用的是3205，搭的H桥给电机驱动，PWM频率为100HZ时发热，而且电机不怎么转，但频率提高到1K,MOS就正常工作了，电机也正常了。“但另一方面，驱动有电容隔直的话，那有可能频率太低时驱动不利，后期 ...
aptx5788 发表于 2011-12-25 09:08

PWM频率为100HZ时交流分量大,MOS过渡时间长,所以发热，电机的直流分量小所以不怎么转.，但频率提高到1K时交流分量小,MOS过渡时间短,就正常工作了，电机的直流分量大了,也正常了.

发表于 2014-4-8 15:08

看起来很神秘

发表于 2014-4-8 22:04

好帖顶一个，学习了~~~~~~~~~~~~~~~~

发表于 2014-4-9 17:43

还有一个地方容易迷惑人：
MOS管门极输入阻抗很高，但是驱动电路要有足够的输出功率，输出阻抗要小：主要是结电容大，频率越高，驱动电流越大！

发表于 2014-4-10 10:27

hao tie

发表于 2014-4-10 12:34

shalixi 发表于 2012-8-9 12:34
PWM频率为100HZ时交流分量大,MOS过渡时间长,所以发热，电机的直流分量小所以不怎么转.，但频率提高到1K时 ...

频率变大后怎么交流分量变小？

发表于 2015-5-21 14:21

受教了

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