ISO5852芯片去饱和的外围问题
【不懂就问】之前问过，但是没有完全懂
如图，是一款IGBT模块驱动芯片
其中在去饱和保护设计时，有这么一段说明
“在开关感性负载时，会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化
这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰，会从器件中消耗大量电流
为了将这些电流限制，可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联
，再选用一个肖特基二极管MM3z12vb，效果更好，这种二极管正向电压很低
可以确保在低电平下，把DESAT输入钳位到GND”
【1】最后一句中的，低电平下，是指输入in低电平吗？那如何利用低正向导通钳位到地？
【2】把DESAT输入钳位到GND，是如何通过D2、R1、D3和D4的配合把DESAT引脚的尖峰给去掉？是和下图吸收电路原理一样吗？
【3】电阻的计算怎么来的？
【1】最后一句中的，低电平下，是指输入in低电平吗？那如何利用低正向导通钳位到地？
是指它描述的产生负压得过程
【2】把DESAT输入钳位到GND，是如何通过D2、R1、D3和D4的配合把DESAT引脚的尖峰给去掉？是和下图吸收电路原理一样吗？
类似，只不过DSAT直接嵌位到地；当出现描述的感性负载时，IGBT续流二极管两端出现较大的正向电压变化（dv/dt），这个时候它的负载就是退饱和检测电路，很明显dv/dt这个源会从芯片抽取电流，并且会在DESAT和芯片地之间产生压降
【3】电阻的计算怎么来的？
取决于芯片DESAT和地引脚的电流承受能力，查查芯片手册
其实这个电路看着有些别扭，等效电路很简单
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