王栋春 发表于 2020-7-25 21:34

电压缘何而来

各位大神请问P24为高电平时N点的电压值为多少？VCC=9V（5A）,H4是ETC制热片，我现在通电后测得N点电压有1.9V，理论来说是0V的，请问有大神知道怎么回事吗？

gaohq 发表于 2020-7-26 13:08

把 R40 和 R48 改为20K 试试。

王栋春 发表于 2020-7-26 21:51

gaohq 发表于 2020-7-26 13:08
把 R40 和 R48 改为20K 试试。

能解释一下原因吗

gaohq 发表于 2020-7-27 01:00

王栋春 发表于 2020-7-26 21:51
能解释一下原因吗

怀疑 Q7, Q8没有饱和导通，使得Q5, Q14 没有完全导通。

steelen 发表于 2020-7-27 10:59

MOS管为PMOS管？
如果是这样的话，这个设计是有严重缺陷的

cooldog123pp 发表于 2020-7-27 21:36

可以搭一下仿真一下，或者直接焊接一个试试，电路不是很复杂。

ldch88 发表于 2020-7-27 21:41

1.9V差不多就是下管的开启电压，上管基本上会完全导通，下管处于线性状态，功耗巨大，这种设计莫名其妙。

王栋春 发表于 2020-7-27 21:56

gaohq 发表于 2020-7-27 01:00
怀疑 Q7, Q8没有饱和导通，使得Q5, Q14 没有完全导通。

三极管饱和导通后MOS管不是截止吗

luck_gfb 发表于 2020-7-28 09:24

不共地就不好分析Q5,Q14的工作状态了，前面的关闭了，后的MOS不一定会完全关闭。

gaohq 发表于 2020-7-28 12:47

王栋春 发表于 2020-7-27 21:56
三极管饱和导通后MOS管不是截止吗

注意区分 N 沟道MOSFET 和 P 沟道MOSFET

你的图上显示是 P 沟道的MOSFET

一事无成就是我 发表于 2020-7-28 12:49

mos管处于放大状态,是射极输出,功率的时候,MOS管的Vgs会在1~5V之间变化,负载小电压低，负载大电压差高。无论你VCC升高多少V，都是射随输出，也就是电压在1～4V之间，要使MOS在开关状态，必须保证保持Vgs，12V以下的低压MOS不低于3V，以上的不低于8V

Siderlee 发表于 2020-7-28 13:37

理论分析错误了吧

wushaorong88 发表于 2020-7-31 11:32

电路设计有问题！    +5V的地方直接接到VCC,上管用PMOS ,下管用NMOS ，相关电阻参数调整一下，不香吗

zhaomb 发表于 2020-9-16 17:27

BR4407导通的条件：VGS=-3.0V至-1.0V,导通时G极电压始终比S电压低VGS,G极电压为0V,S(N)电压为VGS,大概1v-3V之间，现在1.9V,没毛病。楼主读书不认真，该打屁股！

zhaomb 发表于 2020-9-16 17:31

还有上面Q5始终都是通的，Q7没什么卵用，浪费钱

zhaomb 发表于 2020-9-16 17:35

上面Q5关不断，下来之后，Q14同样也关不断，楼主搞的啥东西？
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