擦除页大小不同的内部 FLASH 有何注意事项？

forgot · 发表于 2023-9-19 10:36

AT32F4 全系列内部 FLASH 大小为 256K 及以上的闪存扇区大小是 2K，内部 FLASH 大小小于 256K 的闪存扇区大小是 1K，在擦除时有所区别：

forgot · 发表于 2023-9-19 10:36

1. 擦除闪存扇区步骤：解锁闪存->擦除闪存扇区->锁定闪存

forgot · 发表于 2023-9-19 10:37

2. 擦除闪存扇区起始地址（Page_Address）及页内的任何地址都可以将该页擦除

forgot · 发表于 2023-9-19 10:37

3. 擦除位于 512K 之内的闪存扇区，是操作寄存器 FLASH->CTRL/FLASH->ADDR；擦除位于 512K 及以
外的闪存扇区，是操作寄存器 FLASH->CTRL2/FLASH->ADDR2

forgot · 发表于 2023-9-19 10:37

4. 将闪存扇区大小是 1K 的擦除代码移植到闪存扇区大小是 2K 时，若连续擦除多个闪存扇区，需要将起
始地址递增长度改为 2K（0x800）。如果起始地址递增长度还是 1K（0x400），那么一个 2K 的闪存扇区
将会被擦除两次。例如，在 IAP 升级 APP 时，一般操作是擦除 1 页，写 1 页。如果页大小 2K 还是按
页大小 1K 的擦除代码操作，比如擦除起始地址是 0x08001000 的闪存扇区，第一次会将该页擦除，写
入 1K 数据后，第二次擦除长度只增加 1K，写入的起始地址是 0x08001400，那么还是会将该页擦除，
将上一次写入的 1K 数据擦除

forgot · 发表于 2023-9-19 10:37

5. 将闪存扇区大小是 2K 的擦除代码移植到闪存扇区大小是 1K 时，若连续擦除多个闪存扇区，需要将起
始地址递增长度改为 1K（0x400）。如果起始地址递增长度还是 2K（0x800），那么每隔一页将会有一页
被漏擦除。例如，在 IAP 升级 APP 时，一般操作是擦除 1 页，写 1 页。如果闪存扇区大小 1K 还是按
闪存扇区大小 2K 的擦除代码操作，比如擦除起始地址是 0x08001000 的页，将该页 1K 空间擦除，但
写入 2K 数据，那么起始地址是 0x08001400 的页在没有被擦除就写入数据，会导致写入的数据错误

[AT32F403/403A] 擦除页大小不同的内部 FLASH 有何注意事项？

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