请教HC32L196的FLASH擦写

发表于 2024-1-29 09:48

同样的一块板子，用官方的例程读写flash没问题，移植到自己的项目就出现写flash进hard fault的问题，总共也就用了3个函数，
Flash_Init();Flash_SectorErase();Flash_WriteByte();
翻官方用户手册看到一句话，如下图。
看了一下自己的项目编译出来有130K，主要是液晶显示的字模用了很多。
于是做了个测试，把液晶显示的代码都去掉了，编译剩30多K，就没有出现写flash进hard fault的问题。
那么，官方的这句话是哪个意思呢？
1、把en_result_t Flash_SectorErase(uint32_t u32SectorAddr)这个函数指定到小于32768的FLASH地址即可。
2、把官方库文件的整个flash.c都指定到小于32768的FLASH地址。
3、把所有涉及flash读写的代码包括官方库文件和自己写的代码全都指定到小于32768的FLASH地址。

发表于 2024-1-29 11:23

意思就是FLASH的擦和写函数必须要放在32K地址(也就是0x8000)这个地址以前，超过这个地址会出现不知名的错误。
别问是什么错误，问就是不知名。设计人员都说不上来。

发表于 2024-1-30 10:47

这原是回复二楼的，可是一点回复就要登录，登录完点回复又要登录，死循环了。。。
只好回复自己了。
把官方库文件的flash.c指定0x4000的地址，就好了。参考的是下面这个帖子：
https://www.amobbs.com/forum.php?mod=viewthread&tid=5479814
具体做法：用记事本打开hc32l19x.icf，后面加一句：place at address mem:0x00004000 { section .text object flash.o };
（上传图片一直错误，直接贴.icf的最后几行吧，红色是加上去的）。
initialize by copy { readwrite };
do not initialize { section .noinit };

place at address mem:__ICFEDIT_intvec_start__ { readonly section .intvec };
place at address mem:0x00004000 { section .text object flash.o };
place in ROM_region { readonly };
place in RAM_region { readwrite, block CSTACK, block HEAP };

发表于 2024-1-30 10:55

给你贴一张小华原厂的M0+内核的FLASH操作图。
另外建议不要把这个地址放到太后面，越靠前越好，不然IAR这个编译器可能会空出来很大一块地址不存放代码。
导致你最后代码量没到FLASH的极限，但是却说你FLASH空间不够

发表于 2024-2-25 19:56

FLASH操作出现hard fault基本上就是地址分配的问题，操作了不该操作的地址

发表于 2024-2-27 16:55

wubangmi 发表于 2024-1-30 10:55
给你贴一张小华原厂的M0+内核的FLASH操作图。
另外建议不要把这个地址放到太后面，越靠前越好，不然IAR这 ...

这个pdf能分享一下吗？谢谢。

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