Bowclad
发表于 2025-3-24 07:56
如何利用硬件PWM死区控制避免MOSFET直通？
如何利用硬件PWM死区控制避免MOSFET直通？
Wordsworth
发表于 2025-3-26 08:18
需要注意的是，过大的死区时间会影响 PWM 波形，导致输出电压降低，要合理取值。
Bblythe
发表于 2025-3-26 08:20
在 H 桥或半桥驱动中，死区时间过小可能导致上下管同时导通，造成短路烧毁 MOSFET。
Pulitzer
发表于 2025-3-26 08:21
如果 PWM 频率较高，可以使用 Break 机制，防止异常情况下 MOSFET 直通。
Uriah
发表于 2025-3-26 08:21
STM32 的高级定时器支持 刹车输入（BKIN），可以外接过流保护电路，一旦检测到短路，立即关断 PWM。
Clyde011
发表于 2025-3-26 08:22
你可以用示波器看看死区时间是否生效，确保两路 PWM 之间有足够的关断时间。
公羊子丹
发表于 2025-3-26 08:23
STM32F4 的高级定时器（TIM1/TIM8）支持死区时间控制，可以通过 TIM_BDTRInitStructure.DeadTime 来设置。
周半梅
发表于 2025-3-26 08:24
你是用 PWM 互补模式 吗？如果是，可以启用 TIM_OCxN 输出，同时在 BDTR 寄存器中配置死区时间。
帛灿灿
发表于 2025-3-26 08:25
死区时间的计算要根据 MOSFET 的开关时间来设定，通常取 tr + tf（上升时间 + 下降时间）的 1.5~2 倍。
童雨竹
发表于 2025-3-26 08:26
STM32F4 的死区时间单位是 t_DTS，你可以通过调整时钟源，计算合适的死区时间值。
万图
发表于 2025-3-26 08:27
你是用 HAL 还是直接操作寄存器？HAL 里用 __HAL_TIM_SET_DEADTIME() 也可以配置死区时间。
peterLaw
发表于 2025-3-26 17:23
mosfet应该是没有问题的
kzlzqi
发表于 2025-3-31 23:16
可以利用硬件PWM死区控制
kzlzqi
发表于 2025-3-31 23:17
在死区时间内，两个MOSFET都不会导通，从而避免了直通现象。
丢丢手绢666
发表于 2025-3-31 23:31
可以利用定时器的输出比较模块和死区控制模块来实现这一功能。
timfordlare
发表于 2025-4-5 19:03
硬件 PWM 死区控制是在上下桥臂的 PWM 信号之间插入一定的死区时间。
ulystronglll
发表于 2025-4-5 20:11
在设置好死区时间后，需要通过实验或仿真来验证死区时间是否足够，以确保不会发生直通现象。可以使用示波器观察PWM信号的波形，检查是否存在同时导通的情况。
jtracy3
发表于 2025-4-5 21:45
直通会导致电源短路，产生大电流，损坏 MOSFET 和电路。
hudi008
发表于 2025-4-6 07:51
确保上下桥臂的PWM信号为互补输出，避免同时导通。
lzbf
发表于 2025-4-8 11:17
在上下桥臂MOSFET切换时，强制插入一段延迟，确保一个MOSFET完全关断后，另一个才开始导通。