刚开始拿到步进电机驱动的电路的时候，感觉电路中的二极管没有什么用处。因为单块的集成电路中，有一个寄生的二极管，或者部分芯片带有这个肖特基二极管。
后来加深了理解，感觉这个跟放电的回路有一定的关系，因为在快速放电的时候，多一条放电的同路，此通路有助于快速的放电，但是用示波器抓去这样的图，发现对绕组的放电速度也没有那么明显，当时认为可能是效果不是很明显，示波器没法看出来。在设计大功率的驱动的时候，也遇到了这样的问题，发现电压一高，尤其在电机突然堵死的情况下，经常会出现几个MOS同时坏掉的情况。这样的MOS损坏问题，就不能通过简单的放电回路来解释了。
后来通过了解国外模块的一些资料，更加深入反向电动势的了解，反向电动势，主要是在电机电流变化的时候，如果方向电动势很小，则绕组的电流上升速度比较快，但是在速度慢慢增加后反向电动势开始增加，开始阻碍电流变化的速度，当反向电动势大到一定程度，和外面的电压开始一样大时，电流不再增加，而如果突然堵转，则方向电动势加在二极管的两端。容易造成MOS管的损坏。
同时，寄生二极管是在正向和方向快速的切换的，OFF的时候，二极管为反向，而衰减的时候，开始正向导通，此电压方向速度很快，如果二极管不是快速二极管，转换速度太慢，则容易让大的方向电压加在DS两端，造成MOS的损坏。
尤其是低端的MOS管，导通的时候，二极管两端的电压很小，而突然关闭，大的反向电动势会造成严重的损坏。这里，还有一点，DS两端的电压突变可能会影响到栅极，让栅极产生误导通，从而损坏MOS管。这样，建议在栅极接入稳压管作为保护
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