MOS管主要参数：

1.开启电压V_T
　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
　　·标准的N沟道MOS管，V_T约为3～6V；
　　·通过工艺上的改进，可以使MOS管的V_T值降到2～3V。

2. 直流输入电阻R_GS
　　·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
　　·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
　　·MOS管的R_GS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BV_DS
　　·在V_GS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使I_D开始剧增时的V_DS称为漏源击穿电压BV_DS
　　·I_D剧增的原因有下列两个方面：
　　（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
　　（2）漏源极间的穿通击穿
　　·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加V_DS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后
，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的I_D

4. 栅源击穿电压BV_GS
　　·在增加栅源电压过程中，使栅极电流I_G由零开始剧增时的V_GS，称为栅源击穿电压BV_GS。

5. 低频跨导g_m
　　·在V_DS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
　　·g_m反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
　　·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
　　·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6. 导通电阻R_ON
　　·导通电阻R_ON说明了V_DS对I_D的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
　　·在饱和区，I_D几乎不随V_DS改变，R_ON的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧之间
　　·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在V_DS=0的状态下，所以这时的导通电阻R_ON可用原点的R_ON来近似
　　·对一般的MOS管而言，R_ON的数值在几百欧以内

7. 极间电容
　　·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容C_GS 、栅漏电容C_GD和漏源电容CDS
　　·C_GS和C_GD约为1～3pF
　　·C_DS约在0.1～1pF之间

8. 低频噪声系数NF
　　·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
　　·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输　　　出端也出现不规则的电压或电流变化
　　·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
　　·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
　　·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
　　·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小