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adi和ti的dsp对比（高端的ts对比c64x）

已有 6611 次阅读2006-7-10 13:36 |个人分类:dsp|系统分类:DSP

一下内容摘自21ictisheep和iversonma（本人）在论坛上的讨论～

tjsheep 发表于 2006-7-6 16:03 DSP 技术 ←返回版面

楼上的也很专业，赞～

ti
的低成本主要来自两个方面，一是先进的加工工艺，比如现在在65nm这个级别上生产dsp，二是较少的内置ram，这个很占硅片面积，除去这两点，ti和
ad的产品在成本上不会差太多。所以还是老话，一份价钱一份货。ad的性能是要好那么一点点。至于ti的双核，由来以久，以前在没有公布omap1510
这类通用双核处理器前，就已经有很多型号了，比如最早的arm7＋54x的547x，后来的arm9＋55x的，以及在这个范围大量的提供给手机商的
omap710什么的，后来又有了dsc系列提供给数码相机厂商的也是双核，再到后来，我们就看到比较多的davinci，所以这个方面，ad应该比不过
ti的。不过，我感觉，主要原因不是ad生产不了双核，而是没有这个方面的考虑，你想啊，ti的双核产品大多都是民用高端数码产品，需要运算和界面的双重
处理器考虑，而且还要求体积。所以很自然的就有了集成双核的产品。而ad的产品很多用在军工，工业方面，对dsp的要求主要是温度，稳定性，性能的考虑，
而不是体积，价格，所以自然不需要双核，另外那么强大，容易并行的ts每个里面再加一个arm？好像比较搞笑吧，接下来的并行扩展就很麻烦了，而ti不一
样，她强调的是每个dsp的处理能力，所以才会出个1G的6416，这样的单片很需要再配合一个协处理器或叫多媒体处理器什么的。

呵呵，这么的话又有一个问题了～

这么说的话想到一个问题～

ti从工艺上讲应该是远远超过adi的，ti现在的高端dsp已经开始采用65nm的工艺了，而且其45nm的工艺是业界第一个（超过intel），现在已经作出了45nm的sram样片～

而adi现在似乎还没有一个12inch的晶圆厂，这么说来应该ti的成本要比adi小很多，除非adi的芯片是由intel代工的～

另外从一般逻辑芯片角度而言，片内ram占用的晶圆尺寸远大于逻辑部分，可以看看intel的p4和赛扬的区别就是片内的cache大小，而逻辑部分差不多，价格却差别很大。

这样的话，除非adi的工艺也至少在90nm，否则片内ram这么大的情况下成本应该是很高的，可以计算一下，ts最高的内部ram是24mbit，按照
每个bit需要6个晶体管，这就是144m个晶体管，1.5亿个晶体管，加上逻辑部分应该超过2亿个了吧，而p4系列的cpu内部也不过1亿个晶体管～

tjsheep 发表于 2006-7-6 22:01 DSP 技术 ←返回版面

具体多少我也不清楚

你
说的6个管子1bit的ram，是最标准的做法，但是我看有些入门书上也写了有5单元ram，还有最少的4单元ram，所以具体数量我也不清楚，呵呵，对
ic方面我是外行，不过就你说的和p4比数量的问题，那不稀奇，目前单片集成度最高的本来就不是cpu，ati和nvidia的gpu的集成度老早超过
cpu了，ATI
R580图形核心就包含了3.8亿个晶体管，呵呵，什么概念？而且gpu那么高的集成度不全是缓存ram撑起来的吧？而Dothan处理器制程为90纳
米，才集成有1.4亿个晶体管，双核的Yonah核心也就集成1.51亿个晶体管，呵呵

昨天回家又看了看～发现adi有点骗人～

昨天实在想不同为什么adi的东西好又便宜，而且应该成本比ti高的情况下～回家对照着看了一下ts20x系列的和ti的c6455以及其他64x系列的dsp～

请看adi的资料：

ts203： 4M bits of internal—on-chip—DRAM memory

ts202：12M bits of internal—on-chip—DRAM memory

ts101：6M bits of internal—on-chip—SRAM memory

再看价格：

ts203： 47d

ts202：149

ts101：193

ts201的资料没有找到～价格是200左右，片内是24mbits

注意101系列的为什么比其他的片内ram小还贵，那是因为它片内是sram，而其余的都是onchip dram～

以前学模电都知道，dram是由一个电容和一个晶体管组成，这么而言，对于硅片的损耗面积一个bit的sram相当于6个bit的dram

再看ti的c6455

l1p是256k

l1d也是256k

l2是16mbit～

再根据另外一个资料上写的，l1cache的速度和cpu相同，也就是能跑到1g的速度，而l2sram/cache速度可以到cpu主频的一半～

这么而言怪不得ti要用最先进的工艺来制造dsp了～

耗费的晶体管肯定比p4强～

再回到adi的系列

datasheet里面我还找了这么一段话：

The ADSP-TS203S processor internal memory has 4M bits of

on-chip DRAM memory, divided into four blocks of 1M bits

(32K words × 32 bits). Each block—M0, M2, M4, and M6—can

store program instructions, data, or both, so applications can

configure memory to suit specific needs. Placing program

instructions and data in different memory blocks, however,

enables the DSP to access data while performing an instruction

fetch. Each memory segment contains a 128K bit cache to

enable single cycle accesses to internal DRAM.

注意最后一句每个block里面都有128k的cache，通过128位的数据线和dsp核心连接，而在ts101里面我没有找到这句话。也就可以这么理
解，在202和203两个dsp里面能提供adi所说的28G bytes per second of internal memory
bandwidth.这么高带宽的容量是128k×6bits（对于ts202而言），而不是资料上写的12mbits。

剩余的12m－768k的dram速度肯定到不了dsp核心速度500m～～～

而在看看ti的6455，其内部的l1和l2全部为sram，而且可以配置为cache，应该全部为6晶体管组成的。

tjsheep 发表于 2006-7-7 09:18 DSP 技术 ←返回版面

呵呵，你看的真仔细

那
个ts101到ts203我看了，是这样的，我估计是工艺的进步，所以在dsp内部可以集成速度够用的dram了，另外这个dram也是l2的级别，真正
的l1级别的cache不就是那个128k×6么，而且我估计这个128k不包括在每个dram块里的。那比较下来，6455有全速l1共512k，半速
l2共16mb，ts202有全速接口cache（相当于l1）共768k，非全速dram（相当于l2）共12mb，那不是差不多么，感觉还是ts强一
点，呵呵，我们在这瞎比较，估计用过的人，都会对ts的实际性能有体会的，再补一句，据说adsp的指令设计的非常好，有很好的正交性，非常容易优化，因
此在开发中，很容易提高dsp的编程效率。：）

iversonma 发表于 2006-7-7 09:49 DSP 技术 ←返回版面

嗯～

过奖了～有些东西不搞明白睡不着～

cell得资料看过一些～晶体管也有3亿多个～sony网站上有全部得datasheet，连开发环境都讲了～

另外现在最快得dram，gddr3，hynix做的有快1ghz了～估计adi再弱也能做到250m～

不过这么而言它得功耗就要远超过ti得sram组成得l2了～

至于指令设计，我是没有用过adi得，就没有资格评价了～

呵呵

我感觉是sram比dram更费电吧？

是吗？

记得以前学数电的时候好像是反过来的呀～～

查查书先～