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日志

Flash/EEP存储器的本质机理(转sharks)

已有 1017 次阅读2008-9-25 15:44 |个人分类:LPC2131|系统分类:单片机

 


 


 


 


Flash/EEP存储器的本质机理其实是一个电容储存电荷(在MOS的浮栅中)。其实从原理上说这种结构不是可靠的。
   1.如果外电场很强,强于浮栅电容的场强,数据就错了。
   2.如果存储的时候,给Flash充电时间不够,保存期并不长。这是最常见的问题,我遇到过多次。我用430单片机,如果Flash时钟配置的太快,导致充电时间不够,可能在数分钟到数月之内丢失Flash数据(发现这个问题是TI的Flash代码范例有误!!它忘了判忙延迟等待,造成Flash充电时序严重不够,当时是没问题的,一个月之内100%丢失!)。由此推论,某些标称高速的Flsah烧写设备,要慎用,因为他很可能卡在或少于芯片标称极限时间,造成数据保持时间到达不了手册给出的10-100年
   3.Flash供电电压不足经常造成数据不可靠。例如430单片机标称工作电压1.8-3.7,但Flash写入必须2.7V以上。我试验过2.3V仍能写入,但电压越低,数据越维持时间越短。2V以下断电重起两三次就没了。

   所以,需要可靠的场合尽量低速写入(Flsah写入时序中,电荷注入时间那一段加长,并不一定是编成设备的接口速度),把工作加到芯片上限 (一搬5V芯片用5.5V,3V芯片到3.6V),能明显提高数据可靠性。


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