日志
Flash/EEP存储器的本质机理（转sharks）
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Flash/EEP存储器的本质机理其实是一个电容储存电荷（在MOS的浮栅中）。其实从原理上说这种结构不是可靠的。
1.如果外电场很强，强于浮栅电容的场强，数据就错了。
2.如果存储的时候，给Flash充电时间不够，保存期并不长。这是最常见的问题，我遇到过多次。我用430单片机，如果Flash时钟配置的太快，导致充电时间不够，可能在数分钟到数月之内丢失Flash数据（发现这个问题是TI的Flash代码范例有误！！它忘了判忙延迟等待，造成Flash充电时序严重不够，当时是没问题的，一个月之内100%丢失！）。由此推论，某些标称高速的Flsah烧写设备，要慎用，因为他很可能卡在或少于芯片标称极限时间，造成数据保持时间到达不了手册给出的10-100年
3.Flash供电电压不足经常造成数据不可靠。例如430单片机标称工作电压1.8-3.7，但Flash写入必须2.7V以上。我试验过2.3V仍能写入，但电压越低，数据越维持时间越短。2V以下断电重起两三次就没了。
所以，需要可靠的场合尽量低速写入（Flsah写入时序中，电荷注入时间那一段加长，并不一定是编成设备的接口速度），把工作加到芯片上限 （一搬5V芯片用5.5V，3V芯片到3.6V），能明显提高数据可靠性。
