flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND FLASH和NORFLASH擦除都需要专门的驱动指令，并且都是以块为单位进行擦除的。但是NOR FLASH擦除实际比NAND FLASH长很多，NAND FLASH一般整片擦除实际都是1s-8s内，而NOR FLASH一片的擦除实际多的要1-2分钟，少的也要10s以上。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时）， 更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。

● NOR FLASH的读速度比NAND FLASJ稍快一些。

● NAND FLASH的写入速度比NOR FLASH快很多。

● NAND FLASH的擦除速度远比NOR FLASH快。

● NAND FLASH的擦除单元更小，相应的擦除电路更加简单。

● NAND FLASH的实际应用方式要比NOR FLASH复杂的多。

● NOR FLASH可以直接使用，并在上面直接运行代码，而NAND需要专门的NAND Control接口，因为NAND FLASH有位翻转情况，硬件驱动还需要ECC编码解码器。

● NAND FLASH还有考虑坏块处理的情况，实际应用复杂得多。

接口差别

NORflash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每 一个字节。

NAND FLASH件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，目前都以统一的NAND FLASH接口为标准。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

所以NAND FLASH的I/O口兼容性更好，因为NOR FLASH容量增加一倍，则相应要增加一位地址线。

NAND读和写操作采用512/2048/4096个字节，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND FLASH的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。

NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND FLASH结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND FLASH的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。

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