日志
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 绝缘栅双极晶体管是功率开关主要功率元件,它是MOS与双极晶体的结合体，主要特性是具备了MOS的电压型控制方式，又有双极晶体的导通压降低，耐压高的特性。它有3条腿，分别是G极＝栅极, C极＝集电极.E极＝发射极.
其基本参数是: VCEs->是把栅极G与发射极E短路后，测试在C与E之间的耐压，根据其应用电压范围 一般有3种，应用交流输入电压(220V,380V,660V) 分别选用600V,1200V,1700V,的IGBT.
VGEs: 是把集电极C与发射极E短路后，测试栅极与发射极的耐压，一般为+/20V(我实际测试极限击穿电压可以分别为: 小日本的三菱为60V,富士为80V, 好的模块有110V，比如英飞凌).
IC:允许流过集电极最大电流,比如IC=800A,最大电流允许通过800A
VGE(th):门极开通电压，正常一般为6V开通，最高为20V,正常驱动为16V为最佳，电压高＝发热低＝短路时间短，电压低=发热高=短路时间长.
rCE:开通后C,E之间的电阻,比如门极电压为15V,rCE=1.7毫欧。
Vce(sat):IC最大时的饱和压降。一般为2到3V左右，短路时候为7到11V
未完, 待续..
