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关于晶体管、场效应管逆向使用问题(一)

已有 469 次阅读2011-12-16 05:05 |系统分类:模拟技术| 晶体管、场效应管逆向

今天在模拟技术中看到一篇名为“关于MOS管得逆向使用问题”的帖子，进去一看，眼界大开。以前还不知道这些管子还能这么使用。

于是在网上找了一些相关的知识学习学习。

原网址：http://www.rohm.com.cn/en/tr/tr_what1.html

关于晶体管ON时的逆向电流

在NPN晶体管中，基极（B）被偏置为正，集电极（C）被偏置为负，由发射极（E）流向C的时逆电流。

1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的。

2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。

即电流由E→C流动。

3. 逆向晶体管有如下特点。
(1) h_FE低。(顺向10%以下)
(2)耐压低。(7 to 8Ｖ与V_EBO一样低)←通用TR的情况，除此之外，还有5V以下

(突破此耐压范围，会发生h_FE低下等特性的劣化，请注意。)
(3)V_CE(sat)及V_BE(ON)的特性没有太大的变化。

路过

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鲜花

握手

1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的。
2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。

3. 逆向晶体管有如下特点。 (1) h_FE低。(顺向10%以下) (2)耐压低。(7 to 8Ｖ与V_EBO一样低)←通用TR的情况，除此之外，还有5V以下 (突破此耐压范围，会发生h_FE低下等特性的劣化，请注意。) (3)V_CE(sat)及V_BE(ON)的特性没有太大的变化。

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关于晶体管、场效应管逆向使用问题(一)

关于晶体管ON时的逆向电流 在NPN晶体管中，基极（B）被偏置为正，集电极（C）被偏置为负，由发射极（E）流向C的时逆电流。

在NPN晶体管中，基极（B）被偏置为正，集电极（C）被偏置为负，由发射极（E）流向C的时逆电流。

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在NPN晶体管中，基极（B）被偏置为正，集电极（C）被偏置为负，由发射极（E）流向C的时逆电流。