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日志

如何正确选择mosfet

已有 682 次阅读2010-11-24 00:54 |系统分类:电源技术| class, 高效, Qg

mosfet对于电子工程师来说应该是再熟悉不过呢,但是如何选择一款合适的mosfet,我在把自己的经验所得分享给大家,我指的是一些功率型mosfet,在音频领域,讲究更低的THD,mosfet的每个参数都对产品的性能有很大的影响,首先设计一个系统的时候,mosfet的击穿电压是必须首先考虑的,耐压不够的管子,会让你记忆深刻,其次是mosfet的最大电流能力,保证系统最大的电流能力能够满足要求,mosfet多用在功率开关型场合,什么是开关,就是你想让它打开就打开,让它关闭就关闭,这是一种理想状态,工程师在设计mosfet的时候也尽可能的朝着理想的设计,mosfet的开关速度也是代表着这款mosfet的性能优越性,更低的Qg,意味着你可以获取更快的开关速度,在这里你别小看了Qg,这不是一个常量(记住),它会随着温度的变化还变化,温度高了,Qg就变大了,一般的mosfet的手册上会有曲线图,Qg还会随着Vgs的电压升高而升高,对于mosfet温度升高,对于mosfet的参数都是有害的,所以我们记住要良好的散热,一般每个mosfet都会给出散热能力参数,对于Rds(ON),当然是希望越小越好,因为这个东西可以理解成电源的内阻的东西,最好为0,好的mosfet可以做到几个M欧,损耗功率大部分取决于ID*RDS(ON),如果为0的话,是不是就是没有损耗了(错了),mosfet的损耗还有栅极的损耗,这个对于大的Qg,效率是更加低的,我个人认为选择更低的Qg比选择更低的Rds(on)更加的有帮助,这两个参数基本上是相反的,今天就写到这了,下次再总结下


 


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