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软件设置模式 | 电源电压要求 | 所接晶振 | 晶振接口内部电容 | 匹配电容 |
低频模式0 | 1.8 V to 3.6 V | 32768(Hz) | 1(pF) | 建议不外接电容 |
低频模式1 | 1.8 V to 3.6 V | 32768(Hz) | 5(pF) | 建议不外接电容 |
低频模式2 | 1.8 V to 3.6 V | 12000(Hz)1和4系列除外 | 8.5(pF) | 建议不外接电容 |
低频模式3 | 1.8 V to 3.6 V | 外部时钟如:有源晶振 | 11(pF) | 建议不外接电容 |
表一 XT1晶振接口接低速晶振电气特性分析
软件设置模式 | 电源电压要求 | 晶振口电流 | 晶振接口外接电容 | 晶振频率 |
高频模式0 | 1.8 V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15(pF) | 0.4--1MHZ |
高频模式1 | 1.8 V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15(pF) | 1--4MHZ |
高频模式2 | 2.2 V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15(pF) | 2--12MHZ |
高频模式3 | 3V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15(pF) | 4--16MHZ |
表二 XT1晶振接口接高速晶振电气特性分析
软件设置模式 | 电源电压要求 | 晶振口电流 | 晶振接口外接电容 | 晶振频率 |
高频模式0 | 1.8 V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15--30(pF) | 0.4--1MHZ |
高频模式1 | 1.8 V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15--22(pF) | 1--4MHZ |
高频模式2 | 2.2 V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15--22(pF) | 2--12MHZ |
高频模式3 | 3V to 3.6 V | 最大1.5mA | 15--22(pF) | 2--16MHZ |
表三 XT2晶振接口接高速晶振电气特性分析
晶振参数 | 规格(MSP430系列芯片,5系列除外) |
频率范围(MHz) | 450KHz--1600KHz |
负载电容(pF) | 大于15pF |
调整频差(ppm)精度 | 客户可以根据要求自行选择相应精度的晶振 |
工作温度(℃) | 建议选择-20--70℃ |
储存温度(℃) | 建议选择-50--128℃ |
谐振电阻(Ω)(ESR) | 小于70Ω(大于8MHz的晶振这个值要小于40Ω) |
静态电容(pF) | 小于7pF |
激励电平(mW) | 小于1mW |
晶振震荡的电压 | 大于0.2VCC |
绝缘电阻 | 最小400MΩ |
表四 高速晶振电气特性表