一般认为MOSFET（MOS管道)由电压驱动，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极间有结电容，会驱动MOS变得不那么简单。下图三个电容器是MOS管道的结电容和电感是电路布线的寄生电感：
如果不考虑纹波，EMI对冲击电流等要求，MOS管开关越快越好。由于开关时间越短，开关损耗越小，开关损耗占开关电源总损耗的很大一部分，MOS管道驱动电路的质量直接决定了电源的效率。怎么做到MOS管道的快速开关呢？ 对于一个MOS管，如果把GS从0到管道的开启电压之间的电压越短，那么MOS管道打开得越快。类似地，如果把手MOS管的GS电压从开启电压降到0V时间越短，那么MOS关闭速度越快。因此，如果我们想在更短的时间内把它拿走，我们可以知道GS如果电压升高或降低，必须给予MOS管栅极大的瞬时驱动电流。 大家常用的PWM直接驱动芯片输出MOS或者用三极管放大后再驱动MOS事实上，瞬时驱动电流的方法有很大的缺陷。
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