[求助]请教IR2125驱动mos管问题

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 楼主| bkylin 发表于 2010-8-30 20:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
电路如图所示,其中mosfet用IRF540N,Rg=51ohms.自举电容改为1uF。load=100ohms.IN为5V 1HZ方波,占空比50%。结果测得自举电容的输出高电平只有十几毫秒。如果所示,请教是什么原因?

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xwj 发表于 2010-8-30 20:29 | 显示全部楼层
当然,只有十几毫秒,自己去想下1uF的电容上能存储多少电荷了?时间常数是多少?


PS:
把反压电路下端的100k/1W的电阻值改小即可工作了
 楼主| bkylin 发表于 2010-8-30 21:11 | 显示全部楼层
本帖最后由 bkylin 于 2010-8-30 21:12 编辑

多谢,我明天试试

但是你看那张图里Vbs上始终有12V的电压呀,这说明1u的电容一直是充满的呀
gaohq 发表于 2010-8-31 01:52 | 显示全部楼层
下面那一堆电路是干嘛的?
 楼主| bkylin 发表于 2010-8-31 15:55 | 显示全部楼层
充电泵
shenwangbin 发表于 2010-9-9 10:51 | 显示全部楼层
频率低了一点,下面的芯片应该跟上面的芯片时序上应该控制好!
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