高效率逆变器设计
太阳能交流发电系统是由光伏组件、光伏控制器、蓄电池组和逆变器共同组成(如图1),,其中,逆变器是最重要的部分。逆变器是一种电源转换装置,其主要功能是将蓄电池的直流电逆变成交流电,图2表示了逆变器在太阳能交流发电系统中的作用。
1)半导体功率器件的选择
太阳能逆变器通过全桥电路,一般采用SPWM处理器经过调制、滤波、升压等,得到与照明负载频率、额定电压等相匹配的正弦交流电供终端用户使用。最高效率是太阳能逆变器的最重要指标,除了通过一个boost电路来对太阳能电池输入电压进行最大功率点跟踪,功率器件的加入以及正确选用,将会大大提高太阳能逆变器的效率。
用于逆变器的功率器件主要有IGBT和MOSFET两种,其中IGBT导通压降具有非线性特性,可以使IGBT的导通压降不随着电流的增加而显著增加,其工作在50HZ的电网频段,MOSFET比IGBT工作在更高的开关频率,一般在16KHZ频段左右。在DC/AC升压变换器中,由升压二极管、升压晶体管和储能电感组成的电压变换电路,输入的脉冲经过放大器放大后驱动晶体管做开关动作,使得直流电压对电感进行充放电,此时,在电感的另一端就能得到交流电压。一般而言,在选择升压二极管时,必须考虑到反向恢复电流对升压开关的影响,因为这会导致额外的损耗,使用碳化硅二极管,可大大减少晶体管的开通损耗和二极管的关断损耗,还可减少电磁干扰。对于额定600V的升压开关,可采用超级结MOSFET,可降低单位面积的导通电阻。对于需要1200V功率开关的太阳能逆变器,IGBT是适当的选择。使用超级结MOSFET在输出变换器中,开关频率没有DC/AC变换器的高,处理由所有组变换器产生的电流总和时,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)将是最理想的器件。
3)逆变器的拓扑结构设计
逆变器的拓扑结构决定着整个太阳能并网发电系统的效率和成本,是影响系统经济可靠运行的关键因素,拓扑结构的选择和光伏逆变器额定输出功率有关:对于4kw以下的光伏逆变器,通常选用直流母线不超过500v,单相输出的拓扑结构,而大功率光伏逆变器需要使用更多的光伏电池组和三相逆变输出,最大直流母线电压会达到1000v,综合考虑开关速度,利用中心点箝位的拓扑结构,便可使用600v的器件取代1200v的器件,提高太阳能逆变器的效率。不管是单向还是三相光伏逆变器拓扑设计,其趋势都是朝着效率更高、无功功率补偿和双向变换模式发展,通过在原来的拓扑设计上适当的增加功率器件,可以使太阳能逆变器高效的运作。
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