请教：NMOS驱动问题

请教大家一个问题，NMOS的驱动问题，如果NMOS需要实现100%PWM的形式开启，即长时间开启状态，电压为100VDC的话，可以使用什么芯片呢？可以用自举电路吗？自举是不是一定要方波输入呢？Infineon的IRS20752L可以吗？

需要100%占空比就不能用自举供电了。

另外加个 自举用的 脉冲 就可以得到 自举电压了。麻烦一点，但值得

有自举电容的，一般都不能100%占空比

戈卫东 发表于 2019-10-30 11:21
需要100%占空比就不能用自举供电了。

那请问这种开关式怎么处理比较合适呢？

个人感觉这个芯片的控制是高低电平，内部产生了方波，这个输出是不是要带电感才能得到稳定的直流？

lfc315 发表于 2019-10-30 13:53
有自举电容的，一般都不能100%占空比

是要用电荷泵才行吗？

wh6ic 发表于 2019-10-30 13:28
另外加个 自举用的 脉冲 就可以得到 自举电压了。麻烦一点，但值得

请问能稍稍详细点吗？我这方面比较小白了。

做了个仿真，输入IN为低电平的时候，输出如下：

你这不是“输入IN为低电平”

definitely 发表于 2019-10-30 16:06
做了个仿真，输入IN为低电平的时候，输出如下：

我想问一下，你这个仿真软件是啥

definitely 发表于 2019-10-30 16:00
是要用电荷泵才行吗？

这个电荷泵非常简单。
一个555，串联一个电容（耐压至少250V），另一头二个二极管一个箝位到高压，一个整流滤波加到VB端，VC接MOS源极。就成了。
想悬浮100%占空比驱动高边N管子，除非你特别挑的什么芯片，否则，高边供电只能是这样的电荷泵类型，不过这里简易的就行了。

definitely 发表于 2019-10-30 10:57

需要自己弄个光电隔离驱动，外加隔离输出的 1x 伏驱动电源。

IR这种IC 不能用。

definitely 发表于 2019-10-30 16:01
请问能稍稍详细点吗？我这方面比较小白了。

不完全算 驱动那种自举。
可以改用半桥驱动芯片，低侧驱动改成 10Vpp 脉冲源，高侧电路略作变动，就可以驱动高侧 MOSFET。原理与图片一样。

用这个芯片，外置一个隔离DCDC提供电源就可以了

definitely 发表于 2019-10-30 16:06
做了个仿真，输入IN为低电平的时候，输出如下：

我也想知道这是什么仿真软件，在哪里可以找到？

100%开启，前面直接用一个隔离的DCDC直接连接G-S不就可以了？还要驱动芯片干啥？

一无所知的一修 发表于 2019-11-12 22:18
100%开启，前面直接用一个隔离的DCDC直接连接G-S不就可以了？还要驱动芯片干啥？ ...

他还有不是100%的时候。

一无所知的一修 发表于 2019-11-12 22:18
100%开启，前面直接用一个隔离的DCDC直接连接G-S不就可以了？还要驱动芯片干啥？ ...

如果始终是100%那就是始终连接的就不需要开关了直接连起来就是