NMOS的无端消耗电流问题

做一个开机电路，用到NMOS，电路如下：

一个很简单的NMOS驱动电路，预计Q1-G的输入阻抗为M级别，但是实际测试通电的状态下，Q1-G会汲取0.18mA的电流，导致R41上产生压差，打通电源通路上的PMOS（未画出）。
理论上Q1-D接的是P3V3，因为没开关。P3V3实测大约0V（mV级别）。
理论上VGS=9.54V，仅仅是打开了DS的通道，为何Q1-G会汲取如此大的电流。
拆了Q1就没问题了，连续两块板子都是一样的现象
希望大家能指点一二，多谢。

查原厂pdf， ntk3134 的 Vgs 耐压只有 +/-6V， 现在有9.54V，会有这个结果的原因很简单。

wh6ic 发表于 2020-7-27 16:26
查原厂pdf， ntk3134 的 Vgs 耐压只有 +/-6V， 现在有9.54V，会有这个结果的原因很简单。 ...

多谢指点，没想到，用习惯了