PIC16F1823的EEPROM能读写几次?

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 楼主| lzy_tjau 发表于 2012-3-28 16:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
数据手册没写  求解?
想擦写10-20W次甚至100W次 不知道行不行
Ryanhsiung 发表于 2012-3-28 16:38 | 显示全部楼层
怎么会没有?DATASHEET中电气特性->里面找! 1824的:

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yewuyi 发表于 2012-3-28 16:51 | 显示全部楼层
读无限制,写有次数限制。

写的总次数与电源电压和环境温度有一定影响,保守至少30万次以上,如果能保证VCC波动不是特别大,环境温度-10~70度范围内估计100万次也问题不大。
1521732588 发表于 2012-3-28 17:01 | 显示全部楼层
最多100W次
 楼主| lzy_tjau 发表于 2012-3-28 17:10 | 显示全部楼层
根据二楼的电气特性:字节耐擦写能力100K    与   刷新前的总擦除/写次数1M   能不能具体解释下什么意思:$
Ryanhsiung 发表于 2012-3-28 20:14 | 显示全部楼层
根据二楼的电气特性:字节耐擦写能力100K    与   刷新前的总擦除/写次数1M   能不能具体解释下什么意思:$
lzy_tjau 发表于 2012-3-28 17:10

这个没有研究过,你看看DATASHEET
 楼主| lzy_tjau 发表于 2012-3-29 08:45 | 显示全部楼层
DATASHEET就这些内容了 。。。 没明白耐擦写能力100K什么意思?
yewuyi 发表于 2012-3-29 09:39 | 显示全部楼层
单个字节100K次,所有的字节加起来的总次数1M,老的MCU中的EEPROM好像都没这个术语
轩辕剑cxw 发表于 2012-3-29 11:20 | 显示全部楼层
10万次一下,这是极限了
autopccopy 发表于 2012-3-29 13:41 | 显示全部楼层
一般器件在常温下的FLASH 是10W, EEPROM 100W!
asspeed 发表于 2012-3-29 14:29 | 显示全部楼层
本帖最后由 asspeed 于 2012-3-29 14:30 编辑

D116表示一个BYTE位置的最大擦写次数能保证的规格是100K。
而D120表示当你进行所有擦写的次数总共达到1M时,必须要执行一次REFRESH操作.
为什么需要这样做,看11.2章节
 楼主| lzy_tjau 发表于 2012-3-30 12:18 | 显示全部楼层
明白了 谢谢各位:)
caijun_2012 发表于 2012-3-30 12:33 | 显示全部楼层
写E2PROM手册上有提到,大概10W次。理论值
416775364TP 发表于 2018-7-25 09:51 | 显示全部楼层
asspeed 发表于 2012-3-29 14:29
D116表示一个BYTE位置的最大擦写次数能保证的规格是100K。
而D120表示当你进行所有擦写的次数总共达到1M时, ...

如何执行REFRESH操作?
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