4148擦写Flash可以跨行操作吗

对于CY8C4148来说，OTA升级擦写Flash可以跨行操作吗？谢谢。

我的理解是升级部分的应用程序代码不能跨行写，不然PC的指针访问会出现问题。这个可以参考我们bootloader的底层代码库。

对于CY8C4148微控制器，其OTP（One-Time Programmable）闪存可以进行跨行擦除和编程。这意味着在OTA（Over-The-Air）升级过程中，可以一次性擦除多个Flash行，而不仅仅是单个行。

PSOC4 对内部 flash 的操作是以 row 为单位进行的，具体擦除&烧录那个 row 是由固件层的 ProgramRow API 被调用的逻辑来决定的。默认的 bootloader 对 application 进行升级基本都是遵循逐行擦除&烧录的方式进行的，如果你需要不同的擦除烧录顺序，技术上是可行的，只是需要用户自己去对底层逻辑做调整，

操作Flash时可以调用如下函数来进行flash的擦除和写入：
uint32 CySysFlashWriteRow(uint32 rowNum, const uint8 rowData[])
其中rowNum是Flash Row number，是flash row size对齐的。rowData数组包含了要写入的数据，长度必须等于flash row size。

应用层可以实现所有地址的数据写入，需要按照上述API的要求对数据进行分包并逐个page写入即可。
你可以参考PSoC Creator中的Flash Example例子。
如下文档也给出了PSoC4系列的编程规范，供参考。
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-CY8C4xxx_CYBLxxxx_Programming_Specifications-Programming%20Specifications-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f66dca2562f

升级部分的应用程序代码不能跨行写

PSOC4 对内部 flash 的操作是以 row 为单位进行的

最好按照固有的层级进行编写下载

最好不要跨行进行擦写操作

OTA升级擦写Flash不要跨行操作

不可以的

在OTA（Over-the-Air）升级中，擦写Flash通常是一个关键的操作。对于大多数单片机和嵌入式系统，擦写Flash通常是以页（page）为单位进行的，而页通常是一个固定大小的内存块。因此，擦写Flash通常是不能跨页进行的

当进行OTA升级时，如果新固件的大小超过了一个Flash页的大小，那么擦写操作通常需要先擦除整个页，然后再将新的固件数据写入

如果整个页写，这可能会导致擦写操作的时间较长，同时也需要额外的空间来存储临时数据

在实际的OTA升级实现中，通常会考虑到擦写Flash的限制，采取一些策略来处理跨页擦写的情况，比如将固件分割成适当大小的块，或者使用双缓冲区技术来减少擦写操作的影响

我的理解是不能跨行操作，而且你说的跨行是啥操作啊？

不都是以页为单位吗？咋还跨行了呢？

不支持，这么做估计会乱的

你说的跨行没啥 意义吧，毕竟都被擦除了，之前的数据也没了，你夸行干啥啊

不建议这么弄，数据乱不说，而且你组成升级包也费劲啊