GW3323-内部flash读写速度测试

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GW3323-内部flash读写速度测试
GW3323HGU6不同主频写入读出1K字节：

测试芯片容量	时钟频率	擦除大小	写入大小（字节）	读出大小（字节）	擦除时间ms/4KB	写入时间ms/1KB	写入时间us/4B	读出时间us/1KB
1M flash	24M	4K	1024	1024	6.4155	6.8945	27.578	365
1M flash	48M	4K	1024	1024	6.3935	10.763	43.052	97.5
1M flash	60M	4K	1024	1024	6.387	9.203	36.812	83
1M flash	80M	4K	1024	1024	6.3816	9.76044	39.04176	814.12
1M flash	120M	4K	1024	1024	6.37656	7.94052	31.76208	591.92
1M flash	147M	4K	1024	1024	6.36988	8.193	32.772	76.44
1M flash	160M	4K	1024	1024	6.37036	7.0412	28.1648	402.52

GW3323HGU6不同主频写入读出4K字节：

测试芯片容量	时钟频率	擦除大小	写入大小（字节）	读出大小（字节）	擦除时间ms/4KB	写入时间ms/4KB	写入时间us/4B	读出时间us/4KB
1M flash	24M	4K	4096	4096	6.41684	27.48888	27.48888	1388.76
1M flash	48M	4K	4096	4096	6.38976	36.44952	36.44952	353.12
1M flash	60M	4K	4096	4096	6.38652	38.20572	38.20572	300.28
1M flash	80M	4K	4096	4096	6.37552	33.88636	33.88636	1108.44
1M flash	120M	4K	4096	4096	6.37376	27.66232	27.66232	295.6
1M flash	147M	4K	4096	4096	6.3706	32.95792	32.95792	624.36
1M flash	160M	4K	4096	4096	6.37008	32.95648	32.95648	624.4

测试函数如图所示：
初始化中，系统主频的改变只需改变如图的函数即可提升while（1）中程序的运行速度 此为内部Flash初始化中，进行读写函数的操作，使用逻辑分析仪进行读写函数运行时间的测量，上述表格的时间数据即为IO口翻转后时间的测量数据

写函数的实现，可实现任意长度数据的写入功能，也可自行根据系统提供的写函数进行实现
1K数据：
24M



48M

60M

80M

120M

147M

160M

4K数据：
24M

48M

120M

147M

160M


如有对内部flash操作速度要求严格的，可参考此进行主频或flash写函数的优化。

楼主 图都裂了呀