[技术讨论] 电工基础知识课程笔记

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 楼主| swtj 发表于 2025-7-22 17:04 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 swtj 于 2025-7-22 17:08 编辑



1.电荷(Q):原子核外有电子(e)(负电荷)(e=1.6*10负19次方C),


原子核失去电子带正电荷,得到电子带负电荷。


单位:库仑(c);


电场(E):由于电荷周围存在电场,电场对放入其中的电荷有作用力,


这种力被称为电磁力(F=QE);


电场强度E:E=F/Q=U/d,单位:V/m(伏每米)


当空气中的电场强度超过25~30 kV/cm时,即可能产生击穿放电。


2.点位与电压:


正电荷在电场中移动方向是高电位到低电位,电位的单位是伏特,符号V;


3.电流:


带电微粒的定向移动产生电流。


直流电流(DC)的大小和方向不随时间的变化而变化。


交流电流(AC)的大小和方向随时间的变化而进行周期性的变化;


4.电路:电流经过的闭合路径,主要进行能量的转化,传输和分配实现信号的传递,存


储和处理。通常电路由电源,负载和中间线路环节组成。


5.电路中常用的物理量:


电流(安培,符号A):


1A=1000毫安(mA)=10^6微安,电压U,电动势E;


6.电阻的种类:


分为线性电阻和非线性电阻(热敏,湿敏,光敏,压敏,力敏,磁敏和气敏)


7.电阻的标称值:


(1)±5或±10误差的电阻,分别用金色和银色色环表示。


(2)电阻的标称阻值常用数字法和色环法标注在电阻上。


(3)4环电阻的前两位为数字,第三位为倍乘。5环电阻的前三位为数字,第四位为倍


乘。


8.全电路欧姆定律:


I=E/(R+R0)或E=IR+IR0=U+IR0;


E(电源的电动势),I(电流),R(负载电阻),R0(电源内部的电阻),U(外电路上


的电压);


9.电阻的串联:两个或两个以上电阻的依次相连,中间无分支的连接方式。


R=R1+R2+R3+RN.....;(用途:限流分压)


电阻的并联:1/R=1/R1+1/R2+1/R3+.....;(用途:分流)


10.基尔霍夫定律(KCL):


在任一瞬时,流入任一节点的电流之和必等于从该节点流出的电流之和。(如果流


入该节点的电流为正,流出的电流为负。则在任一瞬时,通过任一节点电流的代数和恒


等于零。)


(1)电路中通过同一电流的每个分支称为支路。


(2)三条或者三条以上支路的连接点称为节点。


(3)电流中任一闭合的路径称为回路。


基尔霍夫电压定律(KVL):


对任一回路,沿任一方向绕行一周,各电源电动势的代数和等于各电压降的代数和。


选定绕行方向,回路中凡是与绕行方向相同的电动势或电流取正号,反之取负号,


电动势在电源外部的方向为从负到正(低电位指向高电位);


11.电功率和电能:


电场力在单位时间内所做的功称为电功率,简称功率。


单位为瓦特(W),常用的有KW(千瓦),MW(兆瓦)和mW(毫瓦)。


P=dW/dt=ui或P=UI(直流时)。


电能也称作电量(电度),W=P(t-t0),单位是焦耳(J),千瓦时(度)。


12.交流电:


随着时间按正弦规律变化的电压和电流称为正弦交流电。


磁和磁路感应:


磁场和电场一样都是属于能量场,二者可以相互转化。


磁感应强度B,单位是T(特斯拉)和G(高斯);1T=1*10^4G;


磁通是磁路中与电路中电流相当的物理量,单位是Wb(韦伯)和MX(麦克斯韦),1Wb=1


*10^8Mx。


磁体的外部,是由N(北极)指向S(南极),磁体内部是由S(南极)指向N(北极)。


磁导率表示磁介质的物理量,μ代表绝对磁导率,μ0=1(真空磁导率);


通常使用相对磁导率μ1=μ/μ0。


>1顺磁性材料(白金,空气等),<1 反磁性材料(银,铜,水);


电磁感应:


右手法则用于判定感应电动势电流方向(安培定则),


左手法则判断磁场力的方向。


自感:


电流变化--磁场变化--导体内部感应电动势。


用于稳流和谐振,但自感电动势大,击穿绝缘防护,可能出现电弧和爆炸。


互感:一个导电体的电流变化--磁场变化--另一导电体产生感应电动势。


原理:磁耦合。


用途:变压器,感应线圈,电磁炉,(涡流)高频加热。


危害:干扰谐振和滤波,涡流损耗。


13.电子技术:


整流(将交流变为直流),稳压,变频,开关和滤波。


本征半导体:指的是纯净的,不含杂质的半导体。


在热激发下产生自由电子和空穴的现象。


杂质半导体:在本征半导体中人为加入某种杂质元素形成的半导体。


如N型半导体(加入V族元素或杂质元素,比如磷),P型半导体(加入Ⅲ族元素或杂质元素,比如硼)


PN结:单向导电性,反向截止(自建电场组织扩散,加强漂移)


外加直流电源,正偏(P区接高电位,N区接低电位)和反偏(P区接低电位,N区接高电位)


晶体二极管(Diode)构成:PN结+引线+管壳。


P区的引出线为阳极,N区的引出线为阴极。


14.二极管的伏安特性:


单向导通(开关),反向截止(稳压),反向击穿(损坏)


限幅电路:当输入电压高于某一个数字时,输出电压保持不变。


稳压二极管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。


当正向电流流过发光二极管时,发光二极管会发出一定波长范围的光,目前可以发出从红外到可见波段的光。


二极管的工作条件:正向偏置,一般工作电流为几十毫安,导通电压1.8~2.2伏。


光电二极管也称为光敏二极管,工作条件为反向偏置,也就是反向电流随着光照强度的增加而上升。


15.晶体三极管分为NPN型和PNP型,


三极管放大的条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。


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