今日看到一款MOS管驱动电路不敢独享。

   这个电路看上去比较简洁，不拖泥带水，偶得，未验证，供赏析。

哈哈  何必呢

这款电路的R10应接到Q9的C极,PWM为高,Q8能有效关断

当PWM为低时Q9的C极高,Q10 能否有效导通

这个电路还得改进,在Q10'Q9前加级放大电路,Q9Q10,为NPN,PNP对寸才能有效驱动

就为了实现电平转换吗？
一个NPN管子+N MOS+加几个电阻就差不多了；

也可以用低VGS的MOS；

这种电路是用在大功率模块里，以确保后面的MOS快速关断，快速开启，

siyida 发表于 2014-8-23 11:29
当PWM为低时Q9的C极高,Q10 能否有效导通

应该能，射极跟随。

引入了 Q9 的饱和退出问题

看看先

都串了10Ω电阻了，三极管驱动再强又有什么意义？

manbo789 发表于 2014-8-25 11:47
都串了10Ω电阻了，三极管驱动再强又有什么意义？

有些MOS需要较大驱动电压，15V驱动电压可以降低MOS的导通电阻。
用10欧姆电阻可能是EMI方面要求。15V电压和10欧姆电阻，如果驱动电路设计合理（降低R14阻值等）可以提供较大瞬间驱动电流。如果只用单个三极管驱动而且还要求小较驱动功耗就有点困难。

请问大师这样的mos驱动方式有和好处

这个电路的优点是有快速的上升和下降时间，可以降低MOS管在开与关过程中的功率损坏，提高电路的性能及稳定性。
MOS管的开关过程中，有一段类似线性区，即不完全导通状态，此时在MOS管上的功率损坏大。

哪位能说说原理啊？当PWM输出高电平时，两个三极管都通，此时MOS管处的电压为什么是15V，二极管是怎么保护电路电路的啊？

貌似有些值得讨论的地方，改天仿真以下，然后把结果贴给大家。

这个电路非常巧妙，中间二极管的巧妙的隔离的Q10的E级。反过来如果不加二极管Q10任何时刻均不能导通。

怎么看Q10也不能饱和导通，Q8栅极经过分压，最大只能到15V/2，驱动大电流也很困难

先收下看看