关于外部RAM的访问地址问题，请教各位！

1.&nbsp;我看了LPC2210和LPC2214的使用手册，在LPC2210的手册上，以32位宽访问32位的存储器，其地址总线为A[31:2];在LPC2214的手册上,以32位宽访问32位的存储器，其地址总线为A[31:0].&nbsp;请问是哪个数据手册编辑错误还是这两个器件有什么不一致.<br />2.&nbsp;如果以16位数据宽度和外部RAM相连,&nbsp;其对外部RAM寻址的最低位地址是否应该是为0?那么如果比如外部RAM在BANK1,基地址为0x81000000,&nbsp;则地址0x81000001是访问什么?&nbsp;怎么处理?

应该是CPU的A[2:31]与片外存储器的A[0:31]连接.<br />如果是16位总线的话是CPU的A[1:15]与片外存储器的A[0:15]连接.<br />这个是根据指令来设定的,指令是按照字节来访问的,16位的话是两个字节一起访问.所以不用接A0.以此类推.<br />BANK0和BANK1的访问是由CS0和CS1来控制的.

&nbsp;&nbsp;&nbsp;外部存储器地址使用哪些地址线往往还与具体的外部存储器相关．<br />　&nbsp;如果外部RAM为16位,一般最低位地址为0，以楼上的例子,如果有用读半字指令，读取0x81000000时，那么读取的是0x81000000和0x81000001两个字节．如果是用读取字节指令,那么只可以单独读取0x81000000和0x81000001了．LPC2200使用BLS0和BSL1引脚来告诉存储器，读取的是高字节还是低字节．<br />

我以为外部存储器的接法是由总线宽度决定的.<br />至于对0X81000000的访问可以直接把CS1拉低,再可根据BLS0和BLS1来控制字节访问<br />我这样理解对吗?

谢谢楼上的回答.<br /><br />当用16位数据总线访问外部RAM时,&nbsp;其访问地址是不是严格按半字对齐的.<br />那么,&nbsp;如果我这样定义<br />(*((volatile&nbsp;unsigned&nbsp;short*)ETHER_BASE_ADDR+offset))<br />offset为偏移地址,&nbsp;取值为0-1f,&nbsp;好像是可以访问以基地址ETHER_BASE_ADDR后的任意地址的内容.&nbsp;这怎么来解释?&nbsp;<br />硬件采用的是EasyARM2200,&nbsp;ARM与RT8019的连接,&nbsp;RTL8019的是8位数据总线宽度,&nbsp;ARM是16位数据总线宽度.

&nbsp;其实不管是接成16位，还是8位的，软件上都是可以直接访问一个字节和2个字节的，例如定义一个指针，指针指向2个字节的数据，那么就可以直接读出2个字节，如果指针是指向单自己，那就读出一个字节。<br />&nbsp;当然对于硬件上，如果接成8位的数据总线，那地址0是要接上的，这样如果读2个字节，那硬件自动完成读两次。如果接成16位数据总线方式，那地址0是不要接的，如果读两个2字节的话，硬件自动只读一次就可以了，如果这种情况下要读1个字节的，程序编译后，硬件虽然也读两2个字节，但是只取其中一个有用的。&nbsp;其实这个工程是硬件出来的，更本不要关心。想读一个字节，2个字节，4个字节都是程序操作就可以了。