请问 NUC505 片内 SPI FLASH 的性能

发表于 2015-7-21 09:08

FLASH 是怎么个组成法，多少页？每页多大？擦写寿命多少？
FLASH 里程序执行效率是 SRAM 的50~100 分之一，是否意味着FLASH运行速度只相当于 1~2M 主频的 M4？

发表于 2015-7-21 14:05

看范例，2M FLASH 由 32 个块组成，每个块 64k 字节，每个块又分成 256 个页，每个页为 256 字节。擦除只能以块为单位，这很不方便编程，如果要改某个字节，必须要读出64K 字节，然后擦除块，写入，这个过程很费时吧。哪个网友用过出来说说。

发表于 2015-7-21 17:23

zhang..yb 发表于 2015-7-21 14:05
看范例，2M FLASH 由 32 个块组成，每个块 64k 字节，每个块又分成 256 个页，每个页为 256 字节。擦除只能 ...

数据量小可以用他的data flash。数据量大还是用EEPROM更方便。毕竟新唐的MCU片内Flash擦写次数只有2万次。
Flash的读取速度大部分都赶不上芯片的运行速度，包括TI的DSP也是这样，需要快速执行的代码可以拷贝到RAM中运行，那样速度就快多了。

发表于 2015-7-21 22:39

这类应用，你要求很快吗，那就够用。

发表于 2015-7-21 23:10

FLASH 里程序执行效率是 SRAM 的50~100 分之一，，因此，你可以用于低速的应用啊。

发表于 2015-7-21 23:26

如果你应用要求不是很牛X，就没问题。

发表于 2015-7-21 23:32

我用过，没发现有什么问题，跟其他的一样用。

发表于 2015-7-21 23:40

片内的FLASH都是不错的，可以存储掉电保护的内容。

发表于 2015-7-22 10:03

擦写次数达到10W次

发表于 2015-7-22 18:57

如果你应用要求不是很牛X，就没问题

发表于 2015-7-22 18:58

擦写十万次了，你还想怎么样，够好了

发表于 2015-7-24 09:06

数据量小可以用他的data flash

发表于 2015-10-29 17:20

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