关于STM8单片机驱动MOS管被烧坏的问题？

登录 · 发表于 2015-7-24 11:54

求问为什么把图1的驱动改为图2后单片机就坏了？MOS管电流10A。

发表于 2015-7-24 12:41

1、12V倒灌到IO了
2、R6太小了，冲击电流太大

发表于 2015-7-24 13:36

图２
等于STM8　GPIO接12V上拉了，有几个MA的电流流过GPIO

发表于 2015-7-24 13:37

lyjian 发表于 2015-7-24 12:41
1、12V倒灌到IO了
2、R6太小了，冲击电流太大

12V过了4K7电流不是会很小，只有几毫安的大小，STM8不能吸收吗？

发表于 2015-7-24 13:42

liozhenbin92 发表于 2015-7-24 13:37
12V过了4K7电流不是会很小，只有几毫安的大小，STM8不能吸收吗？

能不能吸收看规格书说明。

登录 · 发表于 2015-7-24 13:52

lyjian 发表于 2015-7-24 13:42
能不能吸收看规格书说明。

手册上说任意引脚可吸收或输出4mA电流。

发表于 2015-7-24 13:54

ayb_ice 发表于 2015-7-24 13:36
图２
等于STM8　GPIO接12V上拉了，有几个MA的电流流过GPIO

是高电压造成的吗？单片机引脚可以吸收4毫安的电流，如果按12V输入过4K7电阻，电流应该只有2.4mA。

发表于 2015-7-24 14:12

liozhenbin92 发表于 2015-7-24 13:54
是高电压造成的吗？单片机引脚可以吸收4毫安的电流，如果按12V输入过4K7电阻，电流应该只有2.4mA。 ...

这个电流不是吸收，是倒灌

发表于 2015-7-24 14:55

lfc315 发表于 2015-7-24 14:12
这个电流不是吸收，是倒灌

多谢。学习了

发表于 2015-7-24 20:52

单子真的恒大

发表于 2015-7-24 20:52

胆子真的很大，我连想都不敢想

发表于 2015-7-24 22:56

有前途啊

发表于 2015-7-25 09:01

lfc315 发表于 2015-7-24 14:12
这个电流不是吸收，是倒灌

啥意思？倒灌？能详细解释一下吗，老大

发表于 2015-7-25 09:09

图2，C3两端接个稳压二极管吧；

发表于 2015-7-25 10:13

关注

发表于 2015-7-25 10:20

本帖最后由 gx_huang 于 2015-7-25 10:22 编辑

这是模拟电路的基础呀。
MCU的GPIO可以吸收多少电流，和你这个12V上拉灌入电流无关呀。
当PWM输出0时，可以拉低。
当PWM输出高时，就要看VCC的耗电和钳位能力了，如果VCC被拉高了，谁来吸收你这个电流？另外，51欧姆电阻对电容反复充放电，PWM的电流有多大？你算过吗？瞬间电流也很大的。

发表于 2015-7-25 11:41

那个电流是电压正常情况下MCU可以承受的电流，你给IO口的电压太高，可能直接击穿内部了（这时不需大电流的），跟那个电流指标无关。

dog_xin · 发表于 2015-7-25 12:35

不是电流，是电压击穿

发表于 2015-7-27 08:48

gx_huang 发表于 2015-7-25 10:20
这是模拟电路的基础呀。
MCU的GPIO可以吸收多少电流，和你这个12V上拉灌入电流无关呀。
当PWM输出0时，可以 ...

基础不牢。。。现在知道了灌电流和吸收电流的区别了，不过VCC被拉高怎么理解？是单片机的供电VCC吗？
拉高VCC后单片机应该就烧了吧？还要多向你们学习。

发表于 2015-7-27 08:50

创隆电子发表于 2015-7-24 20:52
胆子真的很大，我连想都不敢想

:lol，不要怂，实践才知道做错了后果多严重。

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