STM32F10X的flash在没有erase前再次program成0的问题

发表于 2015-8-18 00:07

STM32F10xxx 的main flash，是否支持在erase前再次将某个地址program成0？
比如：在A地址先program成0x55
A地址所在的sector，没有经过erase，再次将A地址program成0x00
这种操作是否允许？

在《STM32F10xxx Flash Program manual.pdf》中没有看到明确的说明
不过一般flash都是可以的，就是不知道stm32f10x的main flash是否有限制
在哪能找到一个明确的说明？

发表于 2015-8-18 07:53

其实是有明确说明的，再仔细看看吧。。。

发表于 2015-8-18 08:25

ERASE之后，FLASH变为0x00，对位写就变为1，没写还是为0

发表于 2015-8-19 09:53

myxiaonia 发表于 2015-8-18 07:53
其实是有明确说明的，再仔细看看吧。。。

在哪有明确说明？能否指出

我查了STM32F2XX的 program manual（PM0059， STM32F205/215, STM32F207/217 Flash programming manual），这个manual明确说明：
“Successive write operations are possible without the need of an erase operation when
changing bits from ‘1’ to ‘0’.”

但是在PM0075 STM32F10xxx Flash memory microcontrollers中，却没有看到这类似的说明

按理说flash都类似，但是manual上没有明确说明，还是不能确认

版主能否帮忙看一下
谢谢！

发表于 2015-8-19 10:00

flash应该是都可以从非0编写成0.
例如,0x11修改成0x00

反正我试过是可以的.至少在STM32F030/STM32F4这两款芯片上面,都是如此.

发表于 2015-8-19 10:03

刚才又看了一遍manual
确实有说明，是可以支持的
有点隐蔽
谢谢！

发表于 2015-8-19 10:53

zeaphr 发表于 2015-8-19 10:03
刚才又看了一遍manual
确实有说明，是可以支持的
有点隐蔽

讲了这么多，也没个人贴个图上来看看。

发表于 2015-8-19 11:00

amanda_s 发表于 2015-8-19 10:53
讲了这么多，也没个人贴个图上来看看。

记住就好了呀别人的经验也变成了你的经验哦

发表于 2015-8-19 11:25

myxiaonia 发表于 2015-8-19 11:00
记住就好了呀别人的经验也变成了你的经验哦

只是找找文字描述在哪里。贴上来节省大家的时间，眼见为实嘛。
分享也是一种风格。：）

[STM32F1] STM32F10X的flash在没有erase前再次program成0的问题

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