[电路/定理] h参数的简化表达式!

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 楼主| xukun977 发表于 2015-11-12 11:33 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式
低频晶体管小心号等效电路,用h参数可能是最佳选择,理由主要有两个:手册支持,易测好用。

但是,许多资料中基于h参数的表达式,特点是特长!!!分子和分母中参数太多了,难记,难用!

现在,有任意放大器,不管是晶体管,还是MOS管,不管是单级,还是多级,都可以用一套h参数来表示,hi,ho,hf,hr!

对于放大器,最常用的三个参数是,输入阻抗Zi,电压增益AV,电流增益AI!现在用h参数来表示:
AI=-hf/(1+ho/RL)
Zi=hi+hr*AI*RL
AV=AI*RL/Zi

以上三个公式,简单易记,因为有物理意义!第一公式是ho和RL分流,第二公式是反射阻抗,第三个公式理解为输出电压/输入电压,真是水到渠成!
注:对于电压增益AV表达式,与h参数没有直接关系,所以不管晶体管不管用什么等效电路来表示,该公式总是有效!比如高频时也有效,只不过h参数可能与频率相关了。这个特点很重要!

上面三个公式,简洁美!还好用,对于任意架构的电路可以快速数值求解!感兴趣的试试!
 楼主| xukun977 发表于 2015-11-12 11:50 来自手机 | 显示全部楼层
好了,今天就发三个帖子,下周有空再接着扯。
由于种种原因,本来打算录制成公开课材料,只能这样潦草地过一下。
 楼主| xukun977 发表于 2015-11-13 08:16 来自手机 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2015-11-12 22:33
最好是捨棄任何參數法。以直觀外形看電路,徐大本身就有直觀性,何苦要繞圈子。圓環路才剛走過,啥又忘了! ...

好习惯是:先物理分析(提供clear理解和直观feeling),后数学(定量表达关系)。
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