驱动单管MOSFET，管子关断时间与D极上的负载关系密切

发表于 2016-1-30 17:28

如果负载为几十欧或者一百来欧，负载上的上升沿能达到理想的几十纳秒，但是功耗大，电阻发热严重，不敢长时间使用；如果负载上千欧的话，上升沿又很不理想了，是微妙级了；
总的来说，就是MOSFET管子导通很快，可是关断较慢，但是关断时间与D极上的负载大小成反比，请问要想达到比较快的上升沿，可以哪些做法？

发表于 2016-1-30 20:01

简单，再来一只管子打理上升沿，如常见的“互补推挽”电路

发表于 2016-1-31 15:11

用专用的 MOSFET 驱动电路，比如 TPS2811

发表于 2016-1-31 20:59

同三楼，推挽电路是正途

mos管不是关断慢，它关断是很快的，只是因为负载泄放电荷太慢了