求助：IR2103的高端电源是如何产生的

登录 · 发表于 2010-1-15 19:29

IR2103 Vb和Vs之间的高端电源是如何产生，手册上没有说明。

发表于 2010-1-15 19:48

是由那个二极管以及二极管负端那个电容产生的。
注意电容下端接在半桥上管源极，开机后此点电位为零，故Vcc经二极管对该电容充电到接近Vcc。其后HIN控制上管导通，电容下端电位升高，二极管截止。半桥下管导通上管关断，电容下端又接近地电位，二极管再次为该电容充电。所以该电容的工作是：下端接近地电位时充电(上管关断)，电容供电给上管门极使其导通，下端电位随上管源极升高，二极管截止。
这种电路，通常称为“自举”电路。

发表于 2010-1-15 21:42

感谢maychang！
请问：
“半桥上管源极开机后此点电位为零”，这个不一定啊，如果Vcc上电之前上管漏极的高压就已存在，则源极电压
不为0，等于高压的一半，因为上下两管都没有导通，只有泄漏电流。

“半桥下管导通上管关断，电容下端又接近地电位，二极管再次为该电容充电”，是不是信号控制/LIN一直保持低电平，让下管一直导通，只用HIN来控制上管通断呢？
我希望上管下管同时通断，就是HIN和/LIN连在一起，电容还能充上电吗？

发表于 2010-1-15 21:49

3楼：
半桥电路，上管下管轮流导通，这是一定的。
Vcc上电之前，如果上管关断，当然这个电容不能被充电。但该电容未充电对上管关断并无妨碍。接下来半个周期下管导通，这不需要电容，此半周期电容充电，为再下半个周期上管导通作好准备。

你希望上管下管同时通断，这个希望不能实现。上管下管同时导通半个周期，两管就都烧毁了。

登录 · 发表于 2010-1-15 22:10

我的负载接在上管的源极和下管的漏极之间的，是感性负载，就是接在手册上TO LOAD那个位置。原理上要求负载接在那个位置，就是要求平时两管都是截止的，导通时间很短。手册上有同时导通和关断的波形，如下图：请问maychan，是不是这种情况下，cpu要先提前让下管导通，电容充好电后再让上管导通呢？谢谢！

发表于 2010-1-15 22:32

问题复杂了。
我以为是半桥电路，也一直按半桥讨论。你这不是半桥，可能是双正激，甚至可能根本不是开关电源。
把完整的电路贴出来再说吧。

发表于 2010-1-15 23:28

不好意思，我没有说清楚，我的目的是为了简化以前的驱动电路。
目前还没有完整的电路图，以前的图没有用IR2103。

我这个确实不是开关电源，是一个激磁线圈。
以前用光藕6N137隔离再加电平移动电路驱动高端，低端用电平移动电路驱动，电路复杂。
控制信号来自cpu。
现在想用半桥直接驱动。

看来我没有明白半桥的工作方式，感谢maychang大侠耐心指教。我弄明白了高端电源的来历，非常感谢。

请问maychang大侠，cpu提前让/LIN=0，延时一段时间让高端电源建立，然后再让HIN=1，是否可行？

发表于 2010-1-15 23:33

你这个不是开关电源，更不是半桥。那么“cpu提前让/LIN=0，延时一段时间让高端电源建立，然后再让HIN=1，是否可行？”，我也不知道。

发表于 2010-1-15 23:37

谢谢maychang大侠，那我等芯片来了试一下。
结帖，再次感谢！

发表于 2010-1-16 19:49

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