SAMD21 熔丝位烧录

发表于 2016-9-14 17:43

大家好：
SAMD21芯片，使用FLASH模拟EEPROM来存储数据，未下载过程序的芯片，程序下载时需要修改一次Fuse配置中NVMCTRL_EEPROM_SAZE的值，默认是0x07，需要手动修改成，如0x03，如此一来，批量生产的时候，不利于生产，容易出错，有没有其他办法。

发表于 2017-1-6 11:41

在初始化代码中加入下面代码，可以改变NVMCTRL_EEPROM_SAZE的值
struct nvm_fusebits fusebits;

nvm_get_fuses(&fusebits);
if (fusebits.eeprom_size != NVM_EEPROM_EMULATOR_SIZE_1024)
{
fusebits.eeprom_size = NVM_EEPROM_EMULATOR_SIZE_1024;
nvm_set_fuses(&fusebits);
}

[Atmel] SAMD21 熔丝位烧录

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