1 一般描述
W25Q16BV(16M-bit)是为有限的空间、引脚和功耗的系统提供一个存储解决方案。25Q系列比普通的串行Flash存储器更灵活，性能更优越。基于双倍/四倍的SPI，它们能够可以立即完成提供数据给RAM，包括存储声音、文本和数据。芯片支持的工作电压2.7V到3.6V，正常工作时电流小于4mA，掉电时低于1uA。工作温度为-40℃到85℃。所有芯片提供标准的封装。
W25Q16BV由8192个编程页组成，每个编程页256-bytes。每页的256字节用一次页编程指令即可完成。每次擦除16页（扇区擦除）、128页（32KB块擦除）、256页（64KB块擦除）和全片擦除。W25Q16BV有512个可擦除扇区或32个可擦除块。最小4KB扇区允许更灵活的应用去要求数据和参数保存（见图2）。
W25Q16BV支持标准串行外围接口（SPI），和高速的双倍/四倍输出，双倍/四倍用的引脚：串行时钟、片选端、串行数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2(WP)和I/O3(HOLD)。SPI最高支持104MHz，双倍速是208MHz，四倍速是416MHz。这个传输速率比得上8位和16位的并行Flash存储器。连续读模式允许利用少至8-clocks指令去读取24-bit 地址来实现高效的存储访问，允许真正的XIP(execute in place)操作。
HOLD引脚和写保护引脚可编程写保护。此外，芯片支持JEDEC标准，具有唯一的64位识别序列号。
2 特性
l SPI串行存储器系列 ●灵活的4KB扇区结构
-W25Q80:8M位/1M字节(1,048,576) -统一的扇区擦除（4K字节）
-W25Q16:16M位/2M字节(2,097,152) -块擦除（32K和64K字节）
-W25Q32:32M位/4M字节(4,194,304) -一次编程256字节
-每256字节可编程页 -至少100,000写/擦除周期
-数据保存20年
●标准、双倍和四倍SPI
-标准SPI:CLK、CS、DI、DO、WP、HOLD ●高级的安全特点
-双倍SPI:CLK、CS、IO0、IO1、WP、HOLD -软件和硬件写保护
-四倍SPI:CLK、CS、IO0、IO1、IO2、IO3 -选择扇区和块保护
-一次性编程保护(1)
●高性能串行Flash存储器 -每个设备具有唯一的64位ID(1)
-比普通串行Flash性能高8倍 注1：
-104MHz时钟频率 这些特点在特殊订单中。
-双倍SPI相当于208MHz 请联系Winbond获得更详细资料。
-四倍SPI相当于416MHz ●封装
-40MB/S连续传输数据 -8-pinSOIC 208-mil
-50MB/S随机存取（每32字节） -8-padWSON
●高效”持续读模式”
-短指令
-少至8个时钟到达1个地址内存
-允许真正XIP操作
-强过并行Flash强16倍
5 8个脚的引脚图类似如下。
6 引脚描述
7 16个脚的引脚图类似如下，N/C表示not connect
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