STM8L151 在IAR中实现Flash/EEPROM的擦写

发表于 2017-6-10 21:18

在 STM8L151G6U6中可支持字节擦写和块擦写，块擦写可一次擦写很所字节。字节擦写比较简单，需要注意的是块擦写，在块擦写中，需要配置一个地方。

对于IAR来说，
Uncomment the line “#define RAM_EXECUTION (1)” in the stm8l15x.h file to enable the FLASH functions execution from RAM through the specific __ramfunc keyword.
之后可在程序中调用Flash_BlockProgram();来进行块擦写。

发表于 2017-6-10 21:19

在main函数前要做以下声明：

复制

 #ifdef _RAISONANCE_

/* needed by memcpy for raisonance */

#include <string.h>

extern int __address__FLASH_EraseBlock;

extern int __size__FLASH_EraseBlock;

extern int __address__FLASH_ProgramBlock;

extern int __size__FLASH_ProgramBlock;

#endif /*_RAISONANCE_*/



 /* Private function prototypes -----------------------------------------------*/

 /* Declare _fctcpy function prototype as it is packaged by default in the Cosmic

machine library */

#ifdef _COSMIC_

int _fctcpy(char name);

#endif /*_COSMIC_*/

发表于 2017-6-10 21:19

之后可使用下面函数来进行擦写到epprom中，

复制

void Flash_WriteDataBlock(uint8_t block_count, uint8_t *Buffer)

{

    FLASH_Unlock(FLASH_MemType_Data);//可以擦写EEPROM或Flash:FLASH_Unlock(FLASH_MemType_Program);

    while (FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_DUL) == RESET)

    {}

    FLASH_ProgramBlock(block_count, FLASH_MemType_Data, FLASH_ProgramMode_Standard, Buffer);



    while (FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_HVOFF) == RESET)

    {}

    //FLASH_WaitForLastOperation();

    FLASH_Lock(FLASH_MemType_Data);

}

之后编译即可，不知道是否要将工程设置为支持C标准库，可能要，测试成功的工程是做了这个设置的，大家也可以自己做一下测试

发表于 2017-6-10 23:35

调用相关函数就行看

发表于 2017-6-11 18:31

不要动不动就擦，合理安排。

发表于 2020-9-6 14:55

建议字节擦写也列出来，好让我等小白照抄

[STM32L1] STM8L151 在IAR中实现Flash/EEPROM的擦写

相关帖子

浏览过的版块

技术新星奖章