W25Q128 为什么要分页呢，这样分页有什么好处呢？

发表于 2017-7-27 19:12

发表于 2017-7-28 10:48

我觉得是设计时候的问题吧

发表于 2017-7-28 10:52

不懂，习惯这样做了。不知道为什么会分页

发表于 2017-7-28 19:14

分页来了，比较好操作吧，这样比较节省时间

发表于 2017-7-28 19:19

比如eeprom，既可以按位操作，也可以按页操作，按页操作的时候，速度快

发表于 2017-7-28 20:53

这个得需要专业的人士来分析了。

发表于 2017-7-28 21:01

在操作非eeprom芯片的时候，都是按页来擦除的

发表于 2017-7-29 09:21

为什么要按页擦除呢？

发表于 2017-7-29 09:25

STM32内部FLASH和外部FLASH芯片类似，都是以页（或块）为最小擦除单元。因此，你要擦除FLASH数据，就是需要最小单元（1K 2K不等）。

发表于 2017-7-31 15:24

根据其主存储块容量,页面如扇区... 选择要擦除的页. FLASH_AR的值在哪一页范围内,就表示要擦除哪一页, 也是怕影响中断

发表于 2017-7-31 15:25

这是由flash的结构决定的，它是一种串行存储结构

发表于 2017-7-31 16:24

楼上说的比较靠谱，由串行结构或者并行结构决定的

发表于 2017-7-31 16:25

Flash的结构体是按页来的，不是按照bit为单位的，
特别是Nand Flash，其内部必须按照page读写，按照block来擦除，具体由其内部构架决定。
芯片的片内Flash类似nor flash，其结构有所差别，类似nor flash，虽与nand flash有差别，但是也是有page这种构架的

发表于 2017-9-30 16:42

原味_郭发表于 2017-7-29 09:21
为什么要按页擦除呢？

我觉得是遗留下来的习惯或者有个标准了吧。

W25Q128 为什么要分页呢，这样分页有什么好处呢？

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