其实杰杰认为，只要你单片机io口输出电压达到完全导通的状态，那么你就可以直接驱动MOS管
对这句话加一点自己的理解，与楼主探讨。
Qg: 可以认为驱动电流提供了Qg电荷才能完全打开MOS，从开状态吸收了Qg电荷才能完全关断。按照所给的参数Qg=34nC,又设单片机的最大输出电流为20mA,则理想状态下开通或关断此MOSFET的时间 t=Qg/I=1.7us. 在开通或关断期间的开关损耗：w=1/2v^2t=0.5*5^2*1.7=21.25uW(阻性负载，感性负载为2倍），又设开关频率为1K,则开关损耗：2*1000*w=42.5mW;如果开关频率为50kHZ,则开关损耗2.125W,光开关损耗就让MOS挂掉了。说明不能处于高速开关模式。
另外，在充电期间，cg相当于对地短路，放电期间，Cg相当于对电源短路，导致单片机IO口经常处于短路模式，用久了单片机IO口有可能损坏。
所以，即使处于低速开关状态，仍然建议在MOSfet前加一级驱动，一是提高开关速度，二是保护单片机IO。
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楼主
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