MOS管G极容易导致MOS管损坏

发表于 2017-12-21 09:15

zhangchy@tsingh 发表于 2017-12-20 14:45
R2有用吗？

有用，R2会让MOS管输出端快速放电。

发表于 2017-12-21 09:17

lfc315 发表于 2017-12-20 16:48
当触摸开关用，可是没有静电保护

可以理解为触摸开关吧。
但是我有加保护器件，ESD和TVS管都试过。就加载V1和GND之间，同样会打坏MOS管。

发表于 2017-12-21 11:08

雪痕1992 发表于 2017-12-21 09:17
可以理解为触摸开关吧。
但是我有加保护器件，ESD和TVS管都试过。就加载V1和GND之间，同样会打坏MOS管。 ...

应加在MOS的G-S之间；
S极对地还要1个滤波电容，这个电容也能保护MOS管的S-D不被打坏

发表于 2017-12-21 11:17

lfc315 发表于 2017-12-21 11:08
应加在MOS的G-S之间；
S极对地还要1个滤波电容，这个电容也能保护MOS管的S-D不被打坏 ...

保护器件不是一般一端接地吗，通过GND把电流释放出去呀。

发表于 2017-12-21 11:24

你是保护MOS管，那你就要保证MOS管的3个引脚在静电放电时，任何2个引脚之间的电压不能超过极限值。

发表于 2017-12-21 11:39

本帖最后由 yes19891989 于 2017-12-21 11:44 编辑

zhangchy[url=home.php?mod=space&uid=36626]@tsingh 发表于 2017-12-20 15:01[/url]
V1到栅极间加一个电阻，如果不是应用在快速开通关断情况下，可以加个100K的电阻
R77是10M和R77是10.1M有区 ...

请问你懂PMOS得工作原理吗，请好好学习学习再来这评价可以吗，我说的是跟栅极，不是源极，看清楚再说，我估计你连极间的寄生电容都不知道是什么用途吧

发表于 2017-12-21 11:45

雪痕1992 发表于 2017-12-21 09:12
在V1那个点和地之间焊了个ESD管和TVS管，最后实测都会把MOS管打坏。

单纯的ESD没用，我都说了要在V1点与栅极间增加个100K的电阻

发表于 2017-12-21 14:48

增加二极管和电阻，要节约成本就只加电阻，

发表于 2017-12-21 14:52

1989说的很好

发表于 2017-12-21 14:52

本帖最后由 whtwhtw 于 2017-12-21 14:55 编辑

与地之间加ESD和TVS管，与电源和地之间各反接一个二极管钳位，要静电打不坏的二极管

发表于 2017-12-21 14:55

手的电压和3.3V差距太大，超过了MOS的承受范围，用电阻隔离一下，瞬间电流不会高，MOS的压差也会削弱，要明白原理加才有用，如果有稳压管限制压差更理想

发表于 2017-12-21 16:14

厉害，那个图就能看到这么多，哈哈

发表于 2017-12-22 08:06

一般MOS管的G极要十分小心的保护，即使这样，组装的时候还有一定的损坏概率。
你不但没有保护，还把G极引出来用手触摸，当然很容易坏了。

发表于 2017-12-22 10:12

看看教程，人家怎么保护的
http://edu.21ic.com/video/302

登录 · 发表于 2017-12-29 13:31

1989说的有道理

发表于 2018-1-9 11:19

R9改成ESD吸收二极管试试

发表于 2018-2-26 10:00

R77改小点试下