与多数传统MLV(多层变阻器)或TVS(瞬态电压按捺)二极管技术比拟,泰科电子瑞侃电路保护部的PESD器件具有更低的电容,而其低触发电压和低钳位电压也有助于保护敏感电子元件。该器件合用于USB2.0的高速D+和D-信号线和USB 3.0的SuperSpeed信号线。
针对USB3.0的ESD保护电路,董湧指出了三个主要的考虑因素:一是为知足要高速度/电容要求,USB 3.0的接口需要比USB 2.0电容更低的ESD保护,必需采用小于1pF的ESD元件,增加极低电容PESD器件可以减小插入损耗;二是动作电压的选用要与被保护IC芯片的ESD承受能力配合起来,还要考虑回路阻抗;三是知足空间要求,采用更小尺寸的保护元件,灵活布局。
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