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[技术问答] 新唐M451的内部flash模拟eeprom，可以读写多少次？

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 楼主| newiot 发表于 2018-12-7 19:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
EEPROM, flash, 新唐, 模拟, 读写
新唐M451的内部flash模拟eeprom，可以读写多少次？
在读和写的时候，供电是5V，有没有最低电压要求？
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yiyigirl2014 发表于 2018-12-7 20:31 | 显示全部楼层
应该3.3V也可以吧。
读写不少于100万次。
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xuanhuanzi 发表于 2018-12-7 21:18 | 显示全部楼层
最LOW的还10W次，这么高级的起码一百万。
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小灵通2018 发表于 2018-12-7 22:47 | 显示全部楼层
记住不要总是对一个地址写，要开辟一段空间，循环写。你可以擦除之前的，写到后面去，这样不停的循环写。
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