忍不住想了解一下6N137在0度以下的工作情况——

发表于 2008-8-6 11:37

设备的工作环境可能在无空调的机房间，跟室外的温度不会相差太多，原先用光偶都是用工业级的，但都是又贵又不好买，6N137现在是大大的便宜了，但其数据手册推荐0度以上工作（10M），但没有0度以下的任何介绍...... 忍不住想，如果我不需要10M，只要1M，那么在-10度左右用6N137是不是可以呢？ 有兄弟作过这方面的试验么，或有这方面的资料么？一起讨论下

发表于 2008-8-6 12:42

    器件本身有余量，所以一定程度的超标工作肯定是可以的，但设计上不能这么做，严谨的作风是质量的保证，这里超一点，那里让一点，中国大量劣质产品就是这么出炉的。

发表于 2008-8-6 22:33

这个器件手册里面规定，为了达到器件应有的性能（这里主要指10M），应工作在0度以上，但是我关心的是： 1、这个器件在加电状态下，低到多少度不会引起损坏； 2、在加电状态并且不损坏的情况下，器件随温度变化其速度的曲线图； 因为对于我来说，并不需要10M的通信速度，但是需要0度以下的工作环境，这个时候我要在温度和速度之间取一个平衡......如果6N137在-10度时虽然达不到10M，但是能提供1M，这就够了，总比买个工业级的光耦便宜！ 我认为这并不是超标设计，只是想充分利用该芯片的性能 所以我现在最想得到的就是这个芯片在0度以下的各种参数

发表于 2008-8-6 22:42

低于厂家温度不太严重的情况下加电工作一般是不会损坏的, 但电信号发生什么不希望的变化就不好讲了, 毕竟半导体对温度是比较敏感的.   你讲的机房设备的话一般利润比较可观, 还是不要抠这个小钱了.

发表于 2008-8-6 22:56

倒不是扣小钱，因为工业级的光藕还不太好买，一旦不太好买就意味着我们得多找供货商业，同时买到假货的可能性比较大，而且我们的量并不大...... 呵呵，更何况我们的利润也不咋的

发表于 2008-8-7 10:41

余量指标厂家不会提供，而是声称不能那么用，工业级芯片和商用级芯片在硅晶元上没什么不同，但衬底、打线和封装等的材料、工艺不同，测试、淘汰条件也不同，不是芯片内核本身的电指标不行而是受周边的影响不能保证。     考虑器件制造的离散性，正规的厂家可以保证所有分布均满足器件规格，但超出规格就完全是正态分布的概率了。现在光藕假货、翻新货很多，如果货质本身有问题再超标使用（温度当然也是“标”）后果无法预测。     我能告诉你的是器件本身肯定可以这么用，别说1M就是10M都行，电参数不是问题，但风险也因之上升，你得考虑极端情况，自己决定。

发表于 2008-8-7 12:20

是指芯片会坏？ 还是芯片未损坏，但是无法提供足够的速度？

发表于 2008-8-7 19:04

发表于 2008-8-7 21:14

发表于 2008-8-8 11:06

主要受影响的是器件寿命，器件本身随温度循环次数的增加，损坏的风险会随之上升，而在温度范围内使用，厂家是保证设计寿命内无限次循环的。

忍不住想了解一下6N137在0度以下的工作情况——

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可以工作，但器件制造商不保证参数

春阳兄没了解我真正的意思.....

你弄一批加电加高低温试验一下不就行了

......

厂家不会提供你要的那些数据

春阳兄指的风险是什么？——

偶有没用的工业级光耦，不过可惜是6n139，速度比较慢，呵呵

一利一弊

前面已经说过，电参数不是问题

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