5ns脉冲驱动高速MOS管

发表于 2011-9-20 22:11

FPGA输出5ns脉冲驱动高速MOS管，MOS管用作电流源，导通电流在100mA左右，这时选MOS管要注重哪些参数？

发表于 2011-9-20 22:13

MOS管的脉冲电流性能越好越好，接近5ns方波最好，做过高速驱动的围观一下~

发表于 2011-9-20 22:41

“5ns脉冲”，很窄了。作为MOS管，它没有存储效应，一般不给交流参数。但最麻烦的是它的两个电容：G极电容和密勒电容。

发表于 2011-9-27 16:23

为什么没人回答呢，高手来顶一下哈！！

发表于 2011-9-27 16:26

做MOS的驱动，主导开关速度的参数要考虑哪些呢？

发表于 2011-9-27 19:11

5ns？估计玄乎。你看看BSP295是否能满足你的要求。另外，你场效应管的驱动选型也麻烦。

发表于 2011-9-28 10:34

BSP295的输入电容偏大，上升时间有20ns，功耗也有点偏大哈

发表于 2011-9-28 10:36

坐等高手来分析，高速MOS管选型

发表于 2011-9-28 10:41

方便交流下，我也遇到了相同的问题，不过我研究这个已经好长时间了，高速MOS管我倒是找了不少。QQ410982728

发表于 2011-9-28 11:31

呵呵，9楼是同行业中人，还有么

发表于 2011-9-29 21:10

:shutup:

发表于 2011-9-29 22:30

我注意到了，11楼是酱油哥~~晕~~

发表于 2011-9-29 22:59

9l楼是只发图标不打字的，哈哈

发表于 2011-9-29 22:59

打错了，是11楼

bewind · 发表于 2011-9-30 14:32

很难，可用3个NSF2250WT1射频NPN三极管（2GHZ），1个P沟道BSS84LT1试试，15V供电。

FPGA驱动2个三极管，2个三极管构成推拉驱动MOS，BSS84开通延迟2.5nS，关断延迟16ns.

这两种管，力源有现货。
如能找到射频PNP，可用2N7002ET1G，开通延迟1.7nS，关断延迟4.8ns，力源有现货。

三极管基极与集电极间用M1MA141WAT1G二极管并联（3nS),防三极管饱和。

彭建学上海

发表于 2011-9-30 15:09

PCB布线，元件参数很重要，
估计10ns问题不大。

彭建学上海

发表于 2011-9-30 16:51

我倒是想找一块类似的高速PWM驱动芯片，并且带浮栅驱动输出的。

发表于 2011-10-1 22:48

很难，可用3个NSF2250WT1射频NPN三极管（2GHZ），1个P沟道BSS84LT1试试，15V供电。

FPGA驱动2个三极管，2个三极管构成推拉驱动MOS，BSS84开通延迟2.5nS，关断延迟16ns.

这两种管，力源有现货。
如能找到射频PNP， ...
pengjianxue 发表于 2011-9-30 14:32

其实在小电流情况下可直接选用射频三极管作脉冲开关，而不必要用MOS管，这种效果如何，你能评估下不？

发表于 2011-10-1 22:52

PCB布线，元件参数很重要，
估计10ns问题不大。

彭建学上海
pengjianxue 发表于 2011-9-30 15:09

对于窄脉冲驱动，寄生电容的存在必然会导致MOS管上升和下降沿出现尖峰脉冲，这个咳没有什么好的办法，有人对此是否有过深入研究呢？

5ns脉冲驱动高速MOS管

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