mos管H桥驱动芯片自举电容的疑惑

登录 · 发表于 2019-8-13 15:27

本帖最后由 _sanhao 于 2019-8-13 15:30 编辑

比如控制12v 4a的直流电机正反转，，现在想到的是用MOS驱动芯片IR2104
看了看这个电路利用内部自举电容开关上臂Nmos管..
如果在一段时间我一直让电机在一个方向运转，，即（pwm=100%）
问题是如果上管电容放完了电就不导通了吧，或者栅极电压下降到一定程度管子进入恒流区吧
这样就没法用这个芯片吧

发表于 2019-8-13 18:16

不用疑惑，所有自举类型的H桥，都有这个限制，也就是最小占空比或者最大占空比只能在1-99%，或者更精确一定别的什么范围，也就是不可以完全的0或者100，这样自举电容才能正常工作。

发表于 2019-8-14 10:48

我用IR的芯片，最大占空比一般都是92%，IR2014, IR2101，IR2011。还有不建议用IR2104，因为IR2104在使能情况下，如果给60%占空比（高电平占60%脉冲宽度），那对于H桥来说就是60%时间正向导通，40%的时间反向导通，除非使能禁止或断电，否则一定H桥会反向导通，即一个PWM周期内既正转有反转。如果用PWM调速，PWM信号最好是要使用中心对齐模式（参考SMT32）。一家之言，有不对的地方还望和平指正，谢谢！

理性讨论，杠精退散！

发表于 2019-8-14 11:22

MissFortune 发表于 2019-8-14 10:48
我用IR的芯片，最大占空比一般都是92%，IR2014, IR2101，IR2011。还有不建议用IR2104，因为IR2104在使能 ...

正经的H桥驱动正反转，需要用电荷泵来产生上管驱动电源，形式为对角线驱动，双路PWM控制调速，占空比可以实现100-0，同时可以完全消除关于H桥电平来回反相的困惑。
实际控制时候，只需要2路PWM工作切换有个延时，就不存在死区问题。

登录 · 发表于 2019-8-14 14:32

tianxj01 发表于 2019-8-14 11:22
正经的H桥驱动正反转，需要用电荷泵来产生上管驱动电源，形式为对角线驱动，双路PWM控制调速，占空比可以 ...

正反转是没问题的，只要对角线的控制端给对应电平信号就行。但我在实际应用的时候确实发现，我让电机正转的时候给控制端一个PWM信号，他先是正转然后自动反转，原因是如果不禁止使能，当PWM信号在一个周期内变为低电平时，就会反转。以60%的正脉宽为例，60%时间正向通电，40%时间反向通电，直到下一个周期的PWM信号到来。

发表于 2020-5-19 10:52

MissFortune 发表于 2019-8-14 14:32
正反转是没问题的，只要对角线的控制端给对应电平信号就行。但我在实际应用的时候确实发现，我让电机正转 ...

两个半桥分开控制不就行了，一个给pwm，一个给下管导通的电平；反转的时候两边反一下就可以了，缺点是io口占用资源变多

发表于 2020-5-20 22:46

自举电容需要充电

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